正向壽命試驗(yàn)臺(tái)
系統(tǒng)概述
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱IGBT)作為功率開(kāi)關(guān)器件,具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點(diǎn),
但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜,IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動(dòng)容易造成器件疲勞老化。目前國(guó)內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究,在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測(cè)技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。
技術(shù)指標(biāo)
測(cè)試參數(shù) VF | 0.01~20V 0.01~10V±3%±0.01V 10~20V±3%±0.1V |
測(cè)試條件 | 正向電流:1mA~60A 直流方波 |
脈寬 | 50uS-1mS |
工位 | 20只 |
測(cè)試方法 | 器件在特定溫度下存儲(chǔ)一定時(shí)間后,在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對(duì)被試器件依次進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試間 隔時(shí)間約100mS |