內(nèi)蒙古去離子水設(shè)備|線路板清洗去離子水設(shè)備
選擇去離子水設(shè)備的必---要性
去離子水在電子工業(yè)主要是線路板、電子元器件生產(chǎn)中的重要作用日益突出，去離子水質(zhì)已成為影響線路板、電子元器件產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)成品率及生產(chǎn)成本的重要因素之一，水質(zhì)要求也越來(lái)越高。在電子元器件生產(chǎn)中，去離子水主要用作清洗用水及用來(lái)配制各種溶液、漿料，不同的電子元器件生產(chǎn)中純水的用途及對(duì)水質(zhì)的要求也不同。
在晶體管、集成電路生產(chǎn)中，去離子水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設(shè)備的冷卻水，配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片，水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)成品率關(guān)系很大。水中的堿金屬（K、Na等）會(huì)使絕緣膜耐壓不良，重金屬（Au、Ag、Cu等）會(huì)使PN結(jié)耐壓降低，Ⅲ族元素（B、Al、Ga等）會(huì)使N型半導(dǎo)體特性惡化，Ⅴ族元素（P、As、Sb等）會(huì)使P型半導(dǎo)體特性惡化[2]，水中細(xì)菌高溫碳化后的磷（約占灰分的20-50%）會(huì)使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)镹型硅而導(dǎo)致器件性能變壞[3]，水中的顆粒（包括細(xì)菌）如吸附在硅片表面，就會(huì)引起電路短路或特性變差。
去離子水中雜質(zhì)的污染源
1.水源的影響
由于水是一種溶解能力很強(qiáng)的溶劑,因此天--然水中含有各種鹽類和化合物,溶有CO2, 還有膠體(包括硅膠和腐殖質(zhì)膠體),天--然水中還存在大量的非溶解性質(zhì),包括粘土、砂石、細(xì)菌、微生物、藻類、浮游生物、熱源等。
2.材料的影響
制備去離子水的材料設(shè)備的材質(zhì)都是用金屬和塑料制成的,金屬在水中會(huì)有痕量溶解,造成金屬離子污染。一些高分子材料,在合成時(shí)常常加入各種添加劑、增塑劑、紫外吸光劑、著色劑，也引入大量的金屬、非金屬雜質(zhì)，同時(shí)還會(huì)帶來(lái)有機(jī)污染。
3. 去離子水生產(chǎn)工藝介紹，制備電路板PCB去離子水的工藝流程大致分成以下幾種：
1、采用離子交換方式，其流程如下：
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂過(guò)濾床→陰樹(shù)脂過(guò)濾床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
2、采用兩級(jí)反滲透方式，其流程如下：
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→di一級(jí)反滲透 →PH調(diào)節(jié)→中間水箱→di二級(jí)反滲透（反滲透膜表面帶正電荷）→純化水箱→純水泵→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
3、采用EDI方式，其流程如下：
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透機(jī)→中間水箱→中間水泵→EDI系統(tǒng)→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
