激光器被動(dòng)調(diào)Q開關(guān)晶體
Cr4 +:YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是波長在0.8至1,2μm激光器(Nd:YAG和其他摻雜Nd或Yb)Q開關(guān)的理想材料。 Cr4 +:YAG有一個(gè)顯著的特征就是其高損傷閾值500-1000 MW / cm2。它的吸收帶從800 nm延伸到1200 nm,在1060nm左右達(dá)到峰值,吸收峰截面積非常大。
V:YAG晶體中文名摻釩釔鋁石榴石是一種相對(duì)較新的晶體材料,適宜于1.06~1.44 μm激光發(fā)射,特別適應(yīng)于1.3μm Nd激光器。在1300 nm左右的吸收峰附近,激發(fā)態(tài)的吸收峰截面不明顯。這種材料具有優(yōu)異的光學(xué)、力學(xué)和熱性能??梢杂肅zochralski法生產(chǎn)。V:YAG晶體用于Nd:YAG、Nd:YAP、Nd:KGW、Nd:YVO 4等多種有源介質(zhì)中,可獲得結(jié)構(gòu)緊湊、性能優(yōu)良的被動(dòng)調(diào)Q激光器。
Co:Spinel晶體中文名叫鈷尖晶石是一種新型發(fā)展的材料,發(fā)射波長范圍在1.2-1.6μm,已經(jīng)被證明是一種非常有效的被動(dòng)調(diào)Q開關(guān)。它被廣泛用于對(duì)眼睛安全的Er:glass激光器(1.54 µm),并且在波長1.44 µm和1.34 µm的激光器上得到驗(yàn)證。Co:Malo(Co:尖晶石)具有高吸收截面,使得Er:玻璃激光器(閃光燈和二極管激光泵浦)的Q開關(guān),無需腔內(nèi)聚焦,可忽略激發(fā)態(tài)吸收,導(dǎo)致Q開關(guān)的對(duì)比度高,即初始與飽和吸收信號(hào)的比率高于10。
激光器被動(dòng)調(diào)Q開關(guān)晶體和可飽和吸收體一樣,可以被用作被動(dòng)調(diào)Q激光器中的激光諧振腔質(zhì)量調(diào)制器,其工作原理不同于主動(dòng)調(diào)Q方式的電控調(diào)制器。通常,這些吸收材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低,它們?cè)诰劢构馐惺褂脮r(shí)會(huì)進(jìn)一步降低飽和能量(飽和通量乘以光束面積)。立陶宛Optogama公司旗下的 4Lasers部門有三款成熟的被動(dòng)調(diào)Q晶體:Cr:YAG crystals、V:YAG crystals、Co:Spinel crystals。
Cr:YAG晶體主要特點(diǎn):
-500-1000 MW / cm2的高損傷閾值
-高穩(wěn)定化學(xué)性和可靠性
-導(dǎo)熱性好,壽命長
-緊湊型無源Q開關(guān)
-操作容易
Cr:YAG晶體主要應(yīng)用:
-用于激光測距儀,LIDAR和LIBS系統(tǒng)的無源調(diào)Q激光器
-需要短脈沖的激光系統(tǒng)。
Cr:YAG晶體技術(shù)特性:
晶體結(jié)構(gòu) | 立方體 |
密度 | 4,56克/厘米3 |
熱膨脹系數(shù) | 6.14×10-6 K-1 |
熱導(dǎo)率 | 11,2 Wm-1K-1 |
莫氏硬度 | 8,2 |
折射率 | 1,82@1064NM |
Cr:YAG晶體產(chǎn)品規(guī)格:
可用初始透射率 | 5-99%@1064 nm |
初始傳輸誤差 | ±1%(大于80%) |
通光孔徑 | >90% |
面尺寸公差 | +0/-0.1毫米 |
平行度誤差 | <10 arcsec |
垂直度誤差 | <10 arcmin |
保護(hù)槽 | <0,1 mm at 45? |
AR膜層 | r<0,15%@1064 nm |
表面質(zhì)量 | 10-5 S-D |
表面平整度 | <λ/8@6328 nm |
波前畸變 | <λ/4@632,8 |
激光損傷閾值 | >10 J/cm2@1064 nm,10 ns |
Cr:YAG晶體產(chǎn)品型號(hào)
SKU | 面尺寸 | 初始傳輸 | 增透膜 | 價(jià)格 (RMB) |
7279 | ?3毫米 | 20% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7280 | ?3毫米 | 30% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7281 | ?3毫米 | 40% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7282 | ?3毫米 | 50% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7283 | ?3毫米 | 60% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7284 | ?3毫米 | 70% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7285 | ?3毫米 | 80% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7286 | ?3毫米 | 85% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7287 | ?3毫米 | 90% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7288 | ?3毫米 | 95% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7289 | ?3毫米 | 98% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7290 | 3x3毫米 | 20% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7291 | 3x3毫米 | 30% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7292 | 3x3毫米 | 40% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7293 | 3x3毫米 | 50% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7294 | 3x3毫米 | 60% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7295 | 3x3毫米 | 70% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7296 | 3x3毫米 | 80% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7297 | 3x3毫米 | 85% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7298 | 3x3毫米 | 90% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7299 | 3x3毫米 | 95% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7300 | 3x3毫米 | 98% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
7301 | ?6 mm | 20% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7302 | ?6 mm | 30% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7303 | ?6 mm | 40% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7304 | ?6 mm | 50% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7305 | ?6 mm | 60% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7306 | ?6 mm | 70% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7307 | ?6 mm | 80% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7308 | ?6 mm | 85% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7309 | ?6 mm | 90% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7310 | ?6 mm | 95% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
7311 | ?6 mm | 98% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
V:YAG晶體主要特點(diǎn):
-高基態(tài)吸收
-不明顯激發(fā)態(tài)吸收
-Q開關(guān)的高對(duì)比度
-良好的光學(xué)、力學(xué)和熱性能
-耐紫外線高損傷閾值(>500 mW/cm)2)
V:YAG晶體主要應(yīng)用:
-用于激光測距儀、激光雷達(dá)和LIBS系統(tǒng)的被動(dòng)調(diào)Q激光器
V:YAG晶體技術(shù)特性:
晶體結(jié)構(gòu) | 立方體 |
密度 | 4,56克/厘米3 |
熱膨脹系數(shù) | 6.14×10-6 K-1 |
熱導(dǎo)率 | 11,2 Wm-1K-1 |
Mohs硬度 | 8,2 |
折射率 | 1,82@1064NM |
V:YAG晶體產(chǎn)品規(guī)格:
可用初始傳輸 | 30-98%@1340 nm |
初始傳輸誤差 | ±1%(大于80%) |
通光孔徑 | >90% |
面尺寸公差 | +0/-0,1毫米 |
平行度誤差 | <20 arcsec |
垂直度誤差 | <10 arcmin |
保護(hù)槽 | <0,1 mm at 45? |
Ar涂層 | r<0,2%@1310-1360 nm |
表面質(zhì)量 | 10-5 S-D |
表面平整度 | <λ/8@6328 nm |
波前畸變 | <λ/4@632,8 |
激光損傷閾值 | >10 J/cm2@1064 nm,10 ns |
V:YAG晶體產(chǎn)品型號(hào):
SKU | 面尺寸 | 初始傳輸 | 價(jià)格 (RMB) |
7312 | 3x3毫米 | 30% | 5100 |
7313 | 3x3毫米 | 40% | 5100 |
7314 | 3x3毫米 | 50% | 5100 |
7315 | 3x3毫米 | 60% | 5100 |
7316 | 3x3毫米 | 70% | 5100 |
7317 | 3x3毫米 | 80% | 5100 |
7318 | 3x3毫米 | 85% | 5100 |
7319 | 3x3毫米 | 90% | 5100 |
7320 | 3x3毫米 | 95% | 5100 |
7321 | ?5毫米 | 30% | 5100 |
7322 | ?5毫米 | 40% | 5100 |
7323 | ?5毫米 | 50% | 5100 |
7324 | ?5毫米 | 60% | 5100 |
7325 | ?5毫米 | 70% | 5100 |
7326 | ?5毫米 | 80% | 5100 |
7327 | ?5毫米 | 85% | 5100 |
7328 | ?5毫米 | 90% | 5100 |
7329 | ?5毫米 | 95% | 5100 |
Co:Spinel晶體的主要特點(diǎn):
-1.3至1.6m范圍內(nèi)的低光學(xué)損耗
-高光損傷閾值
Co:Spinel晶體的主要應(yīng)用:
-無源Q開關(guān)Er:玻璃@1.54m
Co:Spinel晶體的技術(shù)特性:
晶體結(jié)構(gòu) | 立方體 |
密度 | 3,58克/厘米3 |
熱膨脹系數(shù) | 6,14×10-6 K-1 |
熱導(dǎo)率 | 17 Wm-1K-1 |
Mohs硬度 | 8 |
折射率 | 1,6-1,75 |
Co:Spinel晶體的產(chǎn)品規(guī)格:
有效初裂 | 50-99%@1535 nm |
初始傳輸誤差 | ±1%(大于80%) |
有效孔徑 | >90% |
面尺寸公差 | +0/-0.1毫米 |
平行度誤差 | <20 arcsec |
垂直度誤差 | <10 arcmin |
保護(hù)槽 | <0,1 mm at 45? |
AR膜層 | r<0.15%@1535 nm |
表面質(zhì)量 | 20-10 S-D |
表面平整度 | <λ/8@6328 nm |
波前畸變 | <λ/4@632,8 nm,通過透明光圈 |
激光損傷閾值 | >8J/cm2@1535 nm,10 ns |
Co:Spinel晶體的產(chǎn)品型號(hào):
SKU | 面尺寸 | 初始傳輸 | 增透膜 | 價(jià)格 (RMB) |
7330 | 3x3毫米 | 70% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
7331 | 3x3毫米 | 80% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
7332 | 3x3毫米 | 85% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
7333 | 3x3毫米 | 90% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
7334 | 3x3毫米 | 92% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
7335 | 3x3毫米 | 95% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
7336 | 3x3毫米 | 97% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
7337 | 5x5毫米 | 70% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
7338 | 5x5毫米 | 80% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
7339 | 5x5毫米 | 85% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
7340 | 5x5毫米 | 90% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
7341 | 5x5毫米 | 92% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
7342 | 5x5毫米 | 95% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
7343 | 5x5毫米 | 97% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
7802 | 3x3毫米 | 98.5%@1522 nm | HT@976NM+HR@1522NM/HT@976NM+Ar@1522NM | 6400 |