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華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀

參考價 200
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號ITC57300
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2020/11/2 14:26:21
  • 訪問次數(shù)749
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長;華科智源公司 核心團(tuán)隊由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測試方案供應(yīng)商,2025中國制造 • 芯片設(shè)計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測儀,首件檢測系統(tǒng),SMT智能首件檢測儀,首樣檢測,首板確認(rèn)
測量范圍 igbt mos bjt 測量精度 Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途 檢修地鐵 汽車
重量 30kg
華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀產(chǎn)品優(yōu)勢:性價比高,可測器件種類多且參數(shù)齊全、測試精度高、速度快、保護(hù)性強(qiáng)、故障率低、軟件豐富、操作使用方便、售后服務(wù)及時周到。

服務(wù)領(lǐng)域:軌道交通、電動汽車、電力電子、航天、中船、科研高校等。
華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀 產(chǎn)品信息

華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀業(yè)務(wù)范圍:大功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)支持,同時還承擔(dān)著同類進(jìn)口產(chǎn)品的售后維修服務(wù),測試技術(shù)服務(wù)。

華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀產(chǎn)品優(yōu)勢:性價比高,可測器件種類多且參數(shù)齊全、測試精度高、速度快、保護(hù)性強(qiáng)、故障率低、軟件豐富、操作使用方便、售后服務(wù)及時周到。

服務(wù)領(lǐng)域:軌道交通、電動汽車、電力電子、航天、中船、科研高校等。

 

功能單元

參數(shù)指標(biāo)

 

基本參數(shù)

功率源:5000V/1600A

 

柵極-發(fā)射極漏電流

IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA

 

IGES

集電極電壓VCE: 0V

 

柵極電壓 Vge: 5-40V±3±0.1V

 
 

 

 

集電極電壓VCES: 200-3000V±2±10V

 

集電極-發(fā)射極電壓

集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA

 

 

柵極電壓 Vge: 0V

 

集電極-發(fā)射極飽和

VCESat:0.1-5V±2±0.01V

 

電壓VCESat

柵極電壓Vge: ±15V±2±0.2V

 

集電極電流ICE: 10-100A±2±1A

 
 

 

集電極-發(fā)射極截止

集電極電壓VCE: 200-3000V±3

 

集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA

 

電流ICES

 

柵極電壓VGE: 0V

 
 

 

柵極-發(fā)射極閾值電

VGEth: 1-10V±2±0.1V

 

Vce=15V

 

 

 

二極管壓降測試

VF: 0.1-5V±2±0.01V

 

IF:5-100A±2±1A

 
 

 

 

Vge: 0V

 

反向擊穿BVR

BVR:200-3000V±2±10V

 

反向漏電流IR

IR:0.1-10mA±3±0.01mA

 

 

 

導(dǎo)通電阻RDS(on)

1-10mΩ±2±0.1 mΩ

 

10-50mΩ±2±0.5 mΩ

 

 

15168338725
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