Pluto-MC 真空等離子體涂覆(鍍膜)設(shè)備
產(chǎn)品簡介:
Pluto-MC利用等離子體改性時,將試樣置于特定的離子處理裝置中,通過高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面,將能量傳遞給試樣表層的分子,使試樣發(fā)生熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應(yīng),并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂,產(chǎn)生大量自由基或引進(jìn)某些極性基團(tuán),從而優(yōu)化試樣表面的性能。
Pluto-MC 真空等離子體涂覆(鍍膜)設(shè)備
產(chǎn)品特點(diǎn):
Pluto-MC利用等離子體改性時,將試樣置于特定的離子處理裝置中,通過高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面,將能量傳遞給試樣表層的分子,使試樣發(fā)生熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應(yīng),并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂,產(chǎn)生大量自由基或引進(jìn)某些極性基團(tuán),從而優(yōu)化試樣表面的性能。
等離子體對其改性的主要途徑是引發(fā)表面接枝,具體方法是用非聚合氣體(如Ar,H2,O2,N2和空氣等)對樣品表面進(jìn)行等離子體處理,使其表而形成活性自由基,之后利用活性自由基引發(fā)功能性單體,使其在表面進(jìn)行接枝聚合
利用沉淀反應(yīng)進(jìn)行表面改性,這是工業(yè)上目前應(yīng)用多的方法。
產(chǎn)品特點(diǎn):
1. 在現(xiàn)有設(shè)備基礎(chǔ)上,增加涂覆組件,可升級配置
2. 高精度控制,多參數(shù)設(shè)置,可控性佳
3. 已經(jīng)有成熟的應(yīng)用,可提供疏水涂覆材料
4. 都有電極間距可調(diào)設(shè)計,反應(yīng)程度可控,有效控制涂覆效率
5. 可根據(jù)客戶需求,定制和設(shè)計工藝
系統(tǒng)組件設(shè)有儲料腔、加熱裝置、保溫裝置和流量控制裝置。
儲料腔設(shè)計為可拆結(jié)構(gòu),便于清洗和更換不同的原料;
加熱裝置可氣化反應(yīng)物質(zhì),并保持一定溫度;
流量控制裝置對反應(yīng)物進(jìn)行流量控制,使氣氛按需要的氣量喂入到反應(yīng)腔內(nèi)
技術(shù)參數(shù):
● 加液容積:10-150ml
● 溫控范圍:加熱(室溫~200℃)保溫(室溫~200℃)
● 流量控制:轉(zhuǎn)子流量計
● 管路:多4路氣體(同時可通入4種物質(zhì))
● 電源電壓:交流220V