CVD鍍膜設備
聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：材料微納結構的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。
聚焦離子束場發(fā)射掃描雙束電鏡（FIB）是上納米結構分析和材料微納結構制備的*設備。它配有電子束和Ga離子束，可以實現(xiàn)電子束與離子束的同時在線觀測，具有束流穩(wěn)定、分辨率高、納米操控確的特點，可以在納米尺度的分辨率下對材料進行三維、高質量、高穩(wěn)定性的顯微形貌、晶體結構和相組織的觀察與分析，及各種材料微區(qū)化學成分的定性和定量檢測。
CVD鍍膜設備
主要技術指標The main technical indicators：
SEM 分辨率Resolution： 1.0nm @ 15kV 1.9nm @ 1kV
放大倍數(shù)Mag.：12 ~ 1000,000x
加速電壓EHT：0.1 ~ 30kV
FIB 分辨率Resolution：2.5nm @ 30kV
放大倍數(shù)Mag.：300×～ 500,000×
加速電壓EHT：1.0 ~ 30Kv
配置Configuration
探測器Detector：Inlens二次電子探測器
E-T 二次電子探測器
ESB背散射電子探測器
X射線能譜儀 X-ray spectrometer
分辨率Resolution：127 eV @ MnKα
探測元素范圍Detection range of elements： Be(4) ~ Fm(100)
EBSD探測器 EBSD Detector
空間分辨率Spatial resolution：50nm
主要功能：
1. 場發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導體、陶瓷、高分子材料、有機聚合物等
2. X射線能譜分析儀（EDS）：材料微區(qū)成分分析；MnKa峰的半高寬優(yōu)于127eV；CKa峰的版高寬優(yōu)于56Ev;FKa峰的半高寬優(yōu)于64eV；元素Be4-U92;
3. 3D背散射電子取向成像系統(tǒng)（EBSD）：多晶材料的晶體取向和織構分析和3D重構；空間分辨率：優(yōu)于50nm；探測器靈敏度： 加速電壓在3KV時，束流小于50pA能采集到花樣；解析速度大可達600點/s；測試能譜和EBSD 同步采集和一體化功能，選取實際樣品進行三維EDS & EBSD測試；
4. 聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：材料微納結構的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。
