JZM-D30室溫探針臺(tái)
概況:
錦正茂JZM-D30室溫探針臺(tái)的諸多設(shè)計(jì)都是﹡用的,探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。例如,要求的磁場(chǎng)型號(hào),電源型號(hào),磁場(chǎng)值,樣品臺(tái)的尺寸等,除此之外,該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙極性恒流電源搭配使用,可以提高磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。因此,該類型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
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半導(dǎo)體材料測(cè)量設(shè)備室溫探針臺(tái)
技術(shù)參數(shù):
①磁場(chǎng)型號(hào):EM3加長(zhǎng)版
②電源型號(hào):JP10-40,優(yōu)于50ppm
③磁場(chǎng)值:>1000Gs@60mm間距
④磁場(chǎng)分辨率:優(yōu)于0.1Gs
⑤三維探針座:高精度三維探針座4個(gè)
⑥載物臺(tái)直徑:30mm
⑦Y軸位移-15mm至200mm,精度優(yōu)于10微米
⑧X軸位移±15mm,精度優(yōu)于10微米
⑨Z軸行程10mm,精度優(yōu)于20微米
⑩R軸旋轉(zhuǎn):360度粗調(diào),±5°范圍內(nèi)精調(diào),精調(diào)精度10'
?顯微鏡:體視顯微鏡,變倍范圍優(yōu)于10-150倍。
?機(jī)械加工精度優(yōu)于10微米。
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半導(dǎo)體材料測(cè)量設(shè)備室溫探針臺(tái)
霍爾探頭技術(shù)參數(shù)
型 | L(mm) | T(mm) | W(mm) | A(mm) | 有源區(qū)直徑 | 探頭方向 | 頻率范圍 | 滿量程 | 工作溫區(qū) |
HALL-100 | 100 | 2.5 | 5.0 | 3.0 | 0.3 | 橫向 | DC | 3T | -40~125℃ |
使用說(shuō)明
1.將霍爾探頭接入高斯計(jì)后面板的DB15接口;DC9V電源適配器插入高斯計(jì)后面板的供電接口;若使用計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程通信,還要用串口線將高斯計(jì)后面板的DB9接口連接到計(jì)算機(jī)串口。
2.DC9V電源適配器插入220VAC插座,高斯計(jì)即可上電工作,此時(shí)高斯計(jì)前面板紅色指示燈閃爍,液晶屏顯示磁場(chǎng)數(shù)據(jù)。
3.探頭校零:將霍爾探頭遠(yuǎn)離磁場(chǎng),觀察高斯計(jì)表頭顯示是否為零;若顯示不為零,需要將霍爾探頭進(jìn)行校零;將探頭遠(yuǎn)離磁場(chǎng)或放入零高斯腔中(推薦,此時(shí)將探頭前端平行伸入零高斯腔內(nèi),不要碰著腔壁),然后在計(jì)算機(jī)上打開(kāi)串口調(diào)試工具,輸入“zero”指令給高斯計(jì),即可探頭校零。
4.探頭方向識(shí)別:霍爾探頭T-300為橫向探頭,磁場(chǎng)敏感元件位于探頭的前端約3mm位置;霍爾探頭手柄上有“錦正茂”標(biāo)記的那面對(duì)著磁場(chǎng)N極時(shí),高斯計(jì)顯示磁場(chǎng)值為正值;反之為負(fù)值。
5.儀器設(shè)置完成,進(jìn)入正常測(cè)量狀態(tài)。