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德國Micro Resist納米壓印膠

參考價	￥ 14
訂貨量	≥1件

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱邁可諾技術(shù)有限公司
品牌
型號mr-I 7000E
所在地上海市
廠商性質(zhì)代理商
更新時間2021/5/21 13:36:23
訪問次數(shù)379

產(chǎn)品標(biāo)簽:

納米壓印膠

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公司介紹主營產(chǎn)品

　邁可諾公司全稱“邁可諾技術(shù)有限公司”，英文簡稱“MYCRO”。這是一家富有創(chuàng)新精神的化高科技公司，專業(yè)提供光電半導(dǎo)體化工實(shí)驗(yàn)室所需設(shè)備耗材的全套解決方案提供商，公司網(wǎng)址為。　　作為工業(yè)實(shí)驗(yàn)室市場領(lǐng)域的，邁可諾從事開發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)并營銷質(zhì)量可靠的、安全易用的技術(shù)產(chǎn)品及優(yōu)質(zhì)專業(yè)的服務(wù)，幫助客戶和合作伙伴取得成功?！　∵~可諾成功的基礎(chǔ)是幫助客戶做出更好的選擇和決定，尊重他們的決定，并協(xié)助他們實(shí)現(xiàn)高效率的科研成果，追求豐富有意義的生活。

主營產(chǎn)品：勻膠機(jī)，旋涂儀，甩膠臺，勻膠臺，涂層機(jī)，涂膠機(jī)，涂膜機(jī),旋轉(zhuǎn)涂敷儀, HPC,PPC, PAC，SCE系列等離子清洗機(jī)， Cargille光學(xué)試劑，光刻機(jī)/曝光機(jī)，壓力機(jī), 壓片機(jī), 熱壓機(jī)，WABASH熱壓機(jī), CARVER熱壓機(jī),LAURELL勻膠機(jī)、HOT PLATE熱板烤膠機(jī)
Laurell勻膠機(jī)
Harrick等離子清洗機(jī)
Carver手動壓片機(jī)
Uvitron紫外固化箱
Novascan紫外臭氧清洗機(jī)
Wenesco/EMS/Unitemp加熱板
Kinematic程序剪切儀
Laurell EDC系統(tǒng)，濕站系統(tǒng)
NXQ光刻機(jī)
Anatech等離子系統(tǒng)
Wabash/Carver自動壓片機(jī)

展開顯示更多內(nèi)容

光學(xué)試劑，勻膠機(jī)，等離子清洗機(jī)，熱板，光刻機(jī)，壓片機(jī)

產(chǎn)品簡介在線詢價

成膜質(zhì)量	優(yōu)良

Tg = 60℃

優(yōu)異的成膜質(zhì)量

由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間

德國Micro Resist納米壓印膠產(chǎn)品信息

品牌	產(chǎn)地	型號	特點(diǎn)
Micro Resist	德國	mr-I 7000E系列	Tg = 60℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間壓印溫度125 - 150℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I 8000E系列	Tg = 115℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間壓印溫度170 - 190℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I PMMA 35k/75k系列	Tg = 105℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量低分子量從而實(shí)現(xiàn)高效的流動性壓印溫度150 - 180℃，壓印壓力50 bar 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I T85系列	Tg = 85℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量壓印溫度140 - 170℃，壓印壓力大于5 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠非極化熱塑性、具有優(yōu)異的紫外和光學(xué)透過率，高化學(xué)穩(wěn)定性可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I 9000E系列	熱固化之前Tg = 35℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量接近等溫加工處理 n 壓印溫度120℃ n 脫模溫度100℃ 壓印時溫度從Tg到Tg，Cured增加并固化非常低的殘余膠層厚度低至5 nm Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-NIL 6000系列	光化學(xué)固化之前Tg = 40℃ 優(yōu)質(zhì)的固體光膠薄膜接近等溫加工處理：壓印、紫外曝光固化，壓印與脫模在同一溫度下進(jìn)行非常低的殘余膠層厚度低至10 nm 圖案轉(zhuǎn)移時高保真度 Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）寬帶或i線曝光

		mr-UVCur06	旋涂使用優(yōu)質(zhì)的成膜質(zhì)量和膠厚均一性室溫加工處理由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間低劑量紫外曝光快速固化可獲得優(yōu)于30 nm的分辨率（取決于模版分辨率） Plasma刻蝕高阻抗性能 O2 Plasma刻蝕可無殘余去除寬帶或i線曝光