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原子層沉積表面改性設(shè)備分子涂層

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱武漢賽斯特精密儀器有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2021/8/30 16:44:41
訪問次數(shù)296

產(chǎn)品標(biāo)簽:

ALD原子層沉積系統(tǒng)半導(dǎo)體檢測(cè)儀器半導(dǎo)體儀器設(shè)備全套?

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā)，以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主，同時(shí)銷售各種、中低端分析儀器?，F(xiàn)有員工60多人，公司成功開發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件，并采用全數(shù)字化，操作簡(jiǎn)捷，*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求，公司亦通過了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國(guó)家計(jì)量體系認(rèn)證，榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿意單位”的稱號(hào)。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、航天、石油化工、紡織制造、第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長(zhǎng)期合作，每年投入大量研究經(jīng)費(fèi)，招攬各方技術(shù)人才加盟突破國(guó)內(nèi)技術(shù)壁壘，不斷攻克新的技術(shù)難題，另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù)，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷越南，印度，埃及等國(guó)家和地區(qū)。

本著“專業(yè)品質(zhì)，專業(yè)服務(wù)”為宗旨，以“科技、品質(zhì)、競(jìng)爭(zhēng)、創(chuàng)新”為理念，通過不斷汲取新的技術(shù)，新的理念，繼續(xù)開發(fā)研制新產(chǎn)品，并為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的售前，售中，售后服務(wù)。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函，來電，蒞臨我公司參觀指導(dǎo)！

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檢測(cè)儀器全套，測(cè)試設(shè)備全套等

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加工定制	是

原子層沉積表面改性設(shè)備分子涂層存儲(chǔ)電容器絕緣層-銅連線間的高縱橫比擴(kuò)散勢(shì)壘區(qū)
有機(jī)發(fā)光二極管和聚合物的無針孔鈍化層
鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池

原子層沉積表面改性設(shè)備分子涂層產(chǎn)品信息

原子層沉積表面改性設(shè)備分子涂層

現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)到可使用等離子體

從小晶片到200mm大晶片

適用于學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)、研發(fā)的熱和/或等離子體化學(xué)產(chǎn)品，可用于：

氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物：TiN, Si3N4
金屬： Ru, Pt

ALD應(yīng)用舉例：

納米電子學(xué)

高k柵極氧化物

存儲(chǔ)電容器絕緣層-銅連線間的高縱橫比擴(kuò)散勢(shì)壘區(qū)

有機(jī)發(fā)光二極管和聚合物的無針孔鈍化層

鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池

應(yīng)用于微流體和MEMS的高保形涂層

納米孔結(jié)構(gòu)的涂層

生物微機(jī)電系統(tǒng)

燃料電池

直觀性強(qiáng)的的軟件提高性能

使用與牛津儀器的值得信賴的Plasmalab ®產(chǎn)品家族相同的軟件平臺(tái)， OpAL的程序驅(qū)動(dòng)、多用戶級(jí)別、PC2000TM控制的軟件易于操作且可為快速ALD做相應(yīng)修改。

原子層沉積表面改性設(shè)備分子涂層

向世界范圍內(nèi)的生產(chǎn)商和研發(fā)者提供沉積工藝解決方案的經(jīng)驗(yàn)為我們提供了世界上強(qiáng)大沉積工藝庫(kù)和沉積工藝能力。以下是牛津儀器等離子技術(shù)可以提供的一些沉積工藝的一個(gè)范例。討論您的特定需求，我們專業(yè)的銷售和應(yīng)用工作人員將很高興幫助您選擇合適的沉積工藝和工具，以滿足您的需求。

電介質(zhì)

沉積SiO2—沉積二氧化硅

沉積SiN—沉積氮化硅

二氧化硅(SiO2)的反應(yīng)離子束濺射沉積(RIBD)技術(shù)

金屬氮化物

沉積HfN—沉積氮化鉿（遠(yuǎn)程等離子體*輔助）

金屬氧化物

沉積Al2O3-沉積三氧化二鋁

高品質(zhì)光學(xué)鍍膜：二氧化硅，二氧化鈦，五氧化二鉭

二氧化鉿反應(yīng)離子束沉積（HfO2 RIBD）

沉積La2O3—沉積氧化鑭

離子束沉積VaO( 5 - x )--沉積氧化釩 Deposition