磁光克爾效應測量系統(tǒng)JMTS-816

產(chǎn)品概述：

磁光克爾效應測量系統(tǒng) 磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉(zhuǎn)磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉(zhuǎn)矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內(nèi)而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。RotMOKE具有以下特點：測量精度高、測量時間短；非接觸式測量，是一種無損測量；測量范圍為一個點，可以測量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產(chǎn)生平滑、穩(wěn)定的受控磁場，并且磁場平滑過零。

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磁光克爾效應測量磁性薄膜磁性微結構研究

應用領域：

磁光克爾效應測量系統(tǒng)廣泛應用于諸如磁性納米技術、自旋電子學、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學領域。

可測試材料：記錄磁頭，磁性薄膜，特殊磁介質(zhì)，磁場傳感器

產(chǎn)品特點：

1·測量靈敏度高，穩(wěn)定性好，噪音低

2·非接觸式測量，是一種無損測量

3·可以測量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜

4·可以將樣品放到真空中原位測量

5·可以測量同一樣品不同部位的磁化情況

6·縱向、橫向和極向克爾效應測試

7·三百六十度電動旋轉(zhuǎn)樣品，可測試樣品各向異性

8·手動左右和上下位移樣品，可測試樣品表面不同點的克爾效應

9·樣品座有電接口，可加入磁電耦合測試。

技術指標:

1· 樣品尺寸：大Φ10mm的圓

2· 克爾角分辨率（δ）：0.001度；

3·橢偏率分辨率（ε）：0.1%；

4·小光斑（Φ）：10微米；

5· 大磁場：單維0.26特斯拉；

6· 樣品電動角度步進0.1度，手動位移步進10微米；

7·噪音：1%。

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磁光克爾效應測量磁性薄膜磁性微結構研究

技術參數(shù)：

1·光學平臺：

  剛性隔震，不銹鋼貼面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm陣距，150mm臺板厚度，帶腳輪。臺面平整度0.1/1000mm，平臺載荷300Kg，固有頻率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。

2·矢量電磁鐵：

錦正茂二維矢量電磁鐵，每維大磁場0.26T，極面直徑30mm，磁場間隙40mm，中心10mm正方體內(nèi)均勻區(qū)1%。

3·電磁鐵電源：

錦正茂單相雙極性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，穩(wěn)定性50ppm/h，對應小分辨率0.1Gauss。

4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%穩(wěn)定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通過聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。

5·起偏/檢偏器：格蘭-湯普森棱鏡，外徑25.4mm，通光孔徑10mm，消光比<5*10^-5，角度范圍14~16°，波長范圍350~2300nm。

6·聚焦透鏡：K9雙凸，設計波長633nm，外徑25.4mm，焦距150mm，焦距誤差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。

7·四分之一波片：?25.4mm，波長632.8nm，投射波前畸變λ/8，相位延遲精度λ/100。

8·光電傳感器：15mm2感應面積，0.21A/W響應度，暗電流1nA，對430~900nm波長光敏感，分流電阻200Mohm。

9·電流放大器：1pA/V大增益，1MHz帶寬，大輸入±5mA，大輸出±5V，增益精度為輸出的±0.05%

10·高精度電壓表：六位半，小分辨率0.1μV，90天準確度達到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second

11·手動位移和電動旋轉(zhuǎn)樣品桿：   XYZ三維位移，XY行程25mm，Z行程13mm，轉(zhuǎn)動360度，樣品座為直徑11mm的圓，上有電接頭。

12·計算機：    聯(lián)想商用，集成多串口卡。

注：標價不準，以電話溝通為準