射頻輝光放電光譜儀GD-OES
射頻輝光放電光譜儀可以檢測導(dǎo)體、非導(dǎo)體、半導(dǎo)體薄/厚膜中70多種元素隨鍍層結(jié)構(gòu)和深度的變化。射頻輝光放電光譜儀的分析速度達-10 nm/s,可檢測元素濃度范圍從ppm到1,深度分辨率小于1 nm。操作簡單,無需制樣,還可為SEM制備樣品。常用于鍍層結(jié)構(gòu)、層間元素擴散、表面處理等研究。
射頻輝光放電光譜儀的典型應(yīng)用:LED外延片、太陽能電池、半導(dǎo)體芯片、滲氮滲碳、鋼鐵、腐蝕等多個領(lǐng)域
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