信號(hào)倍增器MINI MCR-2-UNI-UI-2UI-PT
信號(hào)倍增器MINI MCR-2-UNI-UI-2UI-PT
信號(hào)倍增器 - MINI MCR-2-UNI-UI-2UI-PT - 2905028
可通用組態(tài)的4端放大器,采用開關(guān)輸出和插拔式連接技術(shù),用于將模擬信號(hào)加倍。通過DIP開關(guān)或軟件進(jìn)行組態(tài)。插拔式連接技術(shù),標(biāo)準(zhǔn)組態(tài)。
產(chǎn)品描述
可組態(tài)、可自由調(diào)節(jié)的4端信號(hào)放大器,采用插拔式連接技術(shù),用于標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)的電隔離、轉(zhuǎn)換、放大和過濾。在輸入側(cè),可以處理0 mA ... 24 mA范圍的電流信號(hào)以及0 V ... 12 V范圍的電壓信號(hào)。輸出側(cè)可提供0 mA ... 21 mA和0 V ... 10.5 V之間的信號(hào)。兩個(gè)輸出端信號(hào)可以彼此獨(dú)立地進(jìn)行設(shè)置。最小測量量程為1 mA和0.5 V。測量量程大于10 mA和5 V便可以確保達(dá)到*的精確度。您可以使用免費(fèi)軟件中的一個(gè)來為設(shè)備組態(tài)??赏ㄟ^設(shè)備上的DIP開關(guān)直接在設(shè)備上對(duì)默認(rèn)設(shè)置進(jìn)行組態(tài)(見組態(tài)表)。測量變送器支持故障監(jiān)控和NFC通信。
環(huán)境條件
環(huán)境溫度(運(yùn)行) | -40 °C ... 70 °C |
---|---|
環(huán)境溫度(存放/運(yùn)輸) | -40 °C ... 85 °C |
高度 | ≤ 2000 m |
允許濕度(運(yùn)行) | 5 % ... 95 % (無冷凝) |
保護(hù)等級(jí) | IP20 (未經(jīng)過UL認(rèn)證) |
抗噪音 | EN 61000-6-2 受到干擾時(shí),那有可能是最小的偏差。 |
輸入數(shù)據(jù)
名稱 | 電壓/電流輸入 |
---|---|
輸入數(shù)量 | 1 |
可配置/可編程 | 是 |
電壓輸入信號(hào) | 0 V ... 10 V (通過DIP開關(guān)) |
2 V ... 10 V (通過DIP開關(guān)) | |
0 V ... 5 V (通過DIP開關(guān)) | |
1 V ... 5 V (通過DIP開關(guān)) | |
0 V ... 12 V (可通過軟件進(jìn)行設(shè)置) | |
電流輸入信號(hào) | 0 mA ... 20 mA (通過DIP開關(guān)) |
4 mA ... 20 mA (通過DIP開關(guān)) | |
0 mA ... 10 mA (通過DIP開關(guān)) | |
20 mA ... 0 mA (通過DIP開關(guān)) | |
0 mA ... 24 mA (可通過軟件進(jìn)行設(shè)置) | |
輸入電壓 | 12 V |
輸入電流 | 24 mA |
輸入電壓的輸入電阻 | > 120 kΩ |
輸入電流的輸入電阻 | 大約 50 Ω (+0.7 V用于測試二極管) |
輸出數(shù)據(jù)
輸出名稱 | 電壓輸出 / 電流輸出 |
---|---|
輸出數(shù)量 | 2 |
電壓輸出信號(hào) | 0 V ... 10 V (通過DIP開關(guān)) |
2 V ... 10 V (通過DIP開關(guān)) | |
0 V ... 5 V (通過DIP開關(guān)) | |
1 V ... 5 V (通過DIP開關(guān)) | |
0 V ... 10.5 V (可通過軟件進(jìn)行設(shè)置) | |
電流輸出信號(hào) | 0 mA ... 20 mA (通過DIP開關(guān)) |
4 mA ... 20 mA (通過DIP開關(guān)) | |
0 mA ... 10 mA (通過DIP開關(guān)) | |
20 mA ... 0 mA (通過DIP開關(guān)) | |
0 mA ... 21 mA (可通過軟件進(jìn)行設(shè)置) | |
輸出電壓 | 大約 12.3 V |
輸出電流 | 24.6 mA |
短路電流 | ≤ 25 mA |
負(fù)載/輸出負(fù)載電壓輸出 | ≥ 10 kΩ |
負(fù)載/輸出負(fù)載電流輸出 | ≤ 600 Ω (每條通道) |
波動(dòng) | < 20 mVSS (在600 Ω時(shí)) |
< 20 mVSS (在600 Ω時(shí)) |