1.EIGER2 R CdTe: 高能量 HPC 技術(shù)的全面優(yōu)勢
EIGER2 R CdTe-X射線探測器將混合光子計(jì)數(shù) (HPC) 技術(shù)的新一代研發(fā)成果和碲化鎘感光器件的高量子效率集合在一起。因此,在使用高能量X射線源或需要雙波長設(shè)置時(shí),EIGER2 R CdTe-X射線探測器便會(huì)是您實(shí)驗(yàn)室的上佳選擇。作為德科特思(DECTRIS) 公司的高超技術(shù)即時(shí)觸發(fā)技術(shù)帶來了完善的高計(jì)數(shù)率能力,以便更精確地測量實(shí)驗(yàn)室X射線源所能達(dá)到的高強(qiáng)度。EIGER2 R CdTe-X射線探測器配有兩個(gè)能量鑒別閾值,與上一代相比,在環(huán)境背景下具有更低的暗計(jì)數(shù)。這極大地提高了弱信號和長時(shí)間曝光的信噪比,能夠在更短的測量時(shí)間內(nèi)提供更優(yōu)質(zhì)的數(shù)據(jù)質(zhì)量。單光子計(jì)數(shù)與連續(xù)讀/寫數(shù)技術(shù)相結(jié)合,克服了所有積分探測器容易飽和以及動(dòng)態(tài)范圍有限的問題。除此之外,直接探測計(jì)數(shù)配合 75μm 的小像素尺寸使得探測器具有更高的空間和角度分辨率。
2.核心優(yōu)勢
– 由于零背景噪音,出色的計(jì)數(shù)率和同時(shí)讀寫,所以具有很高的動(dòng)態(tài)范圍
– 直接檢測和小像素尺寸以獲得光斑分離和最小背景重疊
– 雙能識別有助于抑制低能量和高能量的背景
– 由于直接檢測 X 射線,沒有圖像滯后和余輝
3.應(yīng)用領(lǐng)域
– 大分子晶體學(xué)(MX)
– 化學(xué)晶體學(xué)
– 小角X射線散射和廣角X射線散射(SAXS/
WAXS)
– μCT
4、技術(shù)規(guī)格:
型號 | EIGER2 R CdTe 500K | EIGER2 R CdTe 1M | EIGER2 R CdTe 4M | EIGER2 R CdTe 2M-W | EIGER2 XE CdTe 1M-W |
有效面積:寬x高 [mm2] | 77.1 X 38.4 | 77.1 x 79.7 | 155.1 x 162.2 | 311.1 x 38.4 | 155.1 x 38.4 |
像素大小 [μm2] | 75 x 75 | ||||
總像素?cái)?shù)量 | 1028x512 | 1028 x 1062 | 2068 x 2162 | 4148 x 512 | 2068 x 512 |
幀頻* [Hz] | 100 | 100 | 20 | 50 | 100 |
計(jì)數(shù)器深度 [ bit ] | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
讀出時(shí)間 | 連續(xù)讀數(shù) | ||||
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel | ||||
傳感器材料 | CdTe | ||||
傳感器厚度 [μm] | 750 | ||||
能量范圍 [keV] | 8-25 (8-100, with optional extended energy range calibration) | ||||
計(jì)數(shù)率 [ph/s/pixel] | 5.5 x 106 | ||||
尺寸(WHD)[mm3] | 114 x 133 x 242 | 235 x 237 x 372 | 340 x 370 x 500 | 400 x 430 x 500 | 340 x 370 x 500 |
重量 [kg] | 3.7 | 4.7 | 15 | 9.7 | 5.8 |
冷卻方式 | 水冷(模塊)/風(fēng)冷(電子學(xué)) | 水冷(模塊)/風(fēng)冷(電子學(xué)) | 水冷(模塊)/風(fēng)冷(電子學(xué)) | 水冷(模塊)/風(fēng)冷(電子學(xué)) | 水冷(模塊)/風(fēng)冷(電子學(xué)) |
**所有規(guī)格如有更改,恕不另行通知。