1.核心優(yōu)勢(shì)
– 直接檢測(cè)和小像素尺寸以獲得超佳光斑分離和超小背景重疊
– 高動(dòng)態(tài)范圍得益于零探測(cè)器背景、出色的計(jì)數(shù)率和同步讀/寫
– 噪聲和熒光抑制
– 免維護(hù),易于集成。
2.應(yīng)用領(lǐng)域
– 大分子晶體學(xué)(MX)
– 化學(xué)結(jié)晶學(xué)
– 粉末衍射(PD)
– X射線反射(XRR)
– 漫散射
– 單晶衍射(SCD)
– X射線衍射(XRD)
– 小角散射與廣角散射(SAXS/WAXS)
– 表面衍射
– 時(shí)間分辨實(shí)驗(yàn)
– 成像
3.技術(shù)參數(shù)
PILATUS3 R | 100K-A | 200K-A | 300K | 300K-W | 1M |
探測(cè)器模塊數(shù)量 | 1 x 1 | 1 x 2 | 1 x 3 | 3 x 1 | 2 x 5 |
有效面積:寬*高[mm?] | 83.8 x 33.5 | 83.8 x 70.0 | 83.8 x 106.5 | 253.7 x 33.5 | 168.7 x 179.4 |
像素大小 [μm?] | 172 x 172 | ||||
總像素?cái)?shù)量 | 487x195=94,965 | 487x407=198,209 | 487x619=301,453 | 1475x195=287,625 | 981x1043=1,023.183 |
間隙寬度, 水平/垂直(像素) | 0 | - / 17 | - / 17 | 7 / - | 7 / 17 |
非靈敏區(qū) [ % ] | 0 | 4.3 | 5.5 | 0.9 | 7.2 |
缺陷像素 | < 0.03% | ||||
幀頻 [Hz] | 20 | 20 | 20 | 20 | 5 |
讀出時(shí)間 [ms] | 7 | ||||
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel(FWHM) | ||||
計(jì)數(shù)器深度 | 20 bits(1,048,576 counts) | ||||
閾值能量 [keV] | 3.5 - 18 | 3.5 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 |
功耗 [W] | 30 | 30 | 36 | 36 | 165 |
尺寸(WHD)[mm?] | 156x115x284 | 156x155x284 | 158x193x262 | 280x62x296 | 265x286x455 |
重量 [kg] | 4.5 | 5.4 | 7.5 | 7.0 | 25 |
模塊冷卻 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 |
電子冷卻 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 | 風(fēng)冷 |
外接觸發(fā)電壓 | 5V TTL | ||||
能量校準(zhǔn) | 鉻,錳,鐵,銅,鎵,鉬,銀的Ka線 | ||||
標(biāo)準(zhǔn)配置 | 450微米的硅傳感器 | ||||
探測(cè)器可選配置 | 1000微米的硅傳感器 | ||||
- | - | 可用于真空 | 可用于真空 | - |
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