LDJD-B 介電常數(shù)測定儀
LDJD-C 介電常數(shù)測定儀
測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻
(包括米波波長在內)
下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法.
- 范圍
本標準規(guī)定了在15Hz-300MHz的頻率范圍內測量電容率、介質損耗因數(shù)的方法，并由此計算某些數(shù)值，如損耗指數(shù)。本標準中所敘述的某些方法，也能用于其他頻率下測量。
本標準適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結果與某些物理條件有關，例如頻率、溫度、濕度，在特殊情況下也與電場強度有關。
有時在超過1000V的電壓下試驗，則會引起一些與電容率和介質損耗因數(shù)無關的效應，對此不予論述。
- 規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標準。
IEC60247:1978 液體絕緣材料相對電容率、介質損耗因數(shù)和直流電阻率的測量
- 術語和定義
下列術語和定義適用于本標準。
3.1 相對電容率 relative permittivity
εr
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其電容Cx與同樣電極構形的真空電容C0之比:
…………（1）
式中:
εr——相對電容率；
Cx——充有絕緣材料時電容器的電極電容；
C0——真空中電容器的電極電容。
在標準大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率εr等于1.00053。因此，用這種電極構形在空氣中的電容Ca來代替C0測量相對電容率εr時，也有足夠的精確度。
在一個測量系統(tǒng)中，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率εr與真空電氣常數(shù)ε0的乘積。
在SI制中，電容率用法/米(F/m )表示。而且,在SI單位中，電氣常數(shù)ε0為:
…………（2）
在本標準中，用皮法和厘米來計算電容，真空電氣常數(shù)為:
…………（3）
3.2 介質損耗角 dielectric loss angle
δ
由絕緣材料作為介質的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。
3.3 介質損耗因數(shù) dielectric dissipation factor
tanδ
損耗角δ的正切。
3.4 〔介質〕損耗指數(shù) [dielectric] loss index
εr”
該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對電容率εr的乘積。
3.5 復相對電容率 complex relative permittivity
εr
由相對電容率和損耗指數(shù)結合而得到的:
………………（3）
………………（4）
………………（5）
………………（6）
式中：
εr——復相對電容率;
εr”——損耗指數(shù)；
εr’、 εr——相對電容率；
tanδ——介質損耗因數(shù)。
注 :有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路表示，或用電容Cp和電阻Rp或電導Gp )的并聯(lián)電路表示。
并聯(lián)等值電路 串聯(lián)等值電路
……（7） ……（8）
式中：
Cs——串聯(lián)電容；
Rs——串聯(lián)電阻；
Cp——并聯(lián)電容；
Rp——并聯(lián)電阻。
雖然以并聯(lián)電路表示一個具有介質損耗的絕緣材料通常是合適的，但在單一頻率下有時也需要以電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路來表示。
串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間，成立下列關系:
………………（9）
………………（10）
………………（11）
式(9), (10), (11)中Cs、Rs、Cp、Rp、tanδ同式(7),(8)。
無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法，其介質損耗因數(shù)tanδ是相等的。
假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產(chǎn)生結果，且tanδ太大而在式(9)中不能被忽略，則在計算電容率前必須先計算并聯(lián)電容。
本標準中的計算和側量是根據(jù)電流(ω=2πf)正弦波形作出的。
