(1)化學變化(Chemical reaction):
一般用以化學反應的氣體有氫(H2)、氧(O2)、四氟化碳氣體(CF4)等,這種氣體在常壓等離子表面處理機等離子中反應作為高活性的自由基,并與材料表層進一步產生反應。它的作用機制主要是運用等離子體中的自由基與材料表層發(fā)生化學變化,當工作壓力很大時,自由基活性高運動激烈,因而要想使化學變化占主導性,需要操縱很大的工作壓力才可以開展近距的反應。
(2)物理反應(Physical reaction):
運用等離子體中的離子作純物理學撞擊,等離子體清洗儀主要是將化學物質表層的分子或粘附化學物質表層的分子擊掉,由于離子在工作壓力較低時,其均值自由基比較輕長,具備一定的動能累積,因而,在物理學撞擊中,離子的動能越高,所撞擊的分子越多,若想以物理反應為主導,則需要較低工作壓力下開展反映,使實際清洗效果更強。等離子清洗機的原理,關鍵借助等離子中活性顆粒物的“活性功效”來做到除去污垢的目地。等離子體清洗一般包含以下過程:將無機氣體激起成為等離子態(tài);氣相物質吸咐到固體表層;將吸咐官能團與固體表層分子反應轉化成產物分子;將產物分子結構解析成氣相;反應殘余物擺脫表層。等離子體清洗儀技術的較大特性是,不用區(qū)分需要待清洗目標的種類,對金屬材料、半導體材料、金屬氧化物和大部分纖維材料,如聚丙稀、聚酯、聚酰亞胺膜、聚氯乙烷、環(huán)氧樹脂,乃至聚四氟乙烯等,都可以處理獲得相應的效果,能夠開展總體、局部及繁雜構造的清洗。
名稱(Name) | 噴射型AP等離子處理系統(tǒng)(Jet type plasma processing system) |
等離子電源型號(Plasma power model) | CRF-APO-R&D-XXXD |
旋轉噴式等離子噴槍型號(Direct jet type plasma spray gun modet) | 旋噴式:RXX(Option:20mm-80mm) |
電源(Power supply) | 220V/AC,50/60Hz |
功率(Power) | 1000W/25KHz(Option) |
功率因素(Power factor) | 0.8 |
處理高度(Processing height) | 5-15mm |
處理寬幅(Processing width) | 旋噴式:20-80mm(Option) |
內部控制模式(Internal control mode) | 數(shù)字控制(Digital control) |
外部控制模式(External conteol mode) | 啟停I/O(ON/OFF I/O) |
工作氣體(Gas) | Compressed Air (0.4mpa)/N2(0.2mpa) |
電源重量(Power weight) | 8kg |