儀器簡介
◆配置：2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) / 全自動多腔(片盒對片盒)
◆領域 :三五族(GaAs / SiC)，GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業(yè)及MEMS和Si基半導體產業(yè)等
◆制程 : PECVD / ICPCVD(HDPCVD)
儀器特點
◆ Plasma-Therm公司有將近40年研發(fā)及制造PECVD相關設備的歷史
◆ Plasma-Therm設備具有高穩(wěn)定性與高可靠度
◆ Plasma-Therm自有的軟硬件設計及完善QC系統
◆ Plasma-Therm設備配置靈活，包含手動、半自動、全自動(片盒對片盒)型號滿足實驗室研發(fā)及量產客戶需求
◆ Plasma-Therm設備在化合物半導體行業(yè)內高占有率：目前世界范圍內裝機數量超過2000臺
◆ Plasma-Therm PECVD / ICPCVD設備技術特性：
l 薄膜生長速率可調；
l 的應力控制方法（低損傷應力控制）
l 啟輝功率低至8W，采用plasma發(fā)出的輝光作為斷點監(jiān)控系統的光源，薄膜厚度實時監(jiān)控
l 的片內厚度均勻性 < 1.5%
l 的批次間厚度均勻性 < 1.5%
◆Plasma-Therm連續(xù)15年被VLSI評為10 Best設備供應商
應用領域
◆ 三五族(GaAs / SiC，GaN功率及射頻器件，InP器件等)
◆ MEMS微機電
◆ Si基半導體
◆ 石英基底的光通訊器件
