產(chǎn)品特點
應(yīng)用領(lǐng)域:適用于大學、研究院所、企業(yè)研發(fā)禮構(gòu)通用的等離子體刻蝕的科研與教學或者小批量量產(chǎn)。
等離子刻蝕方式:RIE反應(yīng)離子刻蝕或者ICP模式離子刻蝕(根據(jù)用戶需求定制)
樣片數(shù)量及尺寸:1片φ6英寸、8英寸
刻蝕材料:包括并不限于單晶硅、多晶硅、Si02,Si3N4,Ti,W、聚合物等
刻蝕腔體:高真空系統(tǒng)
刻蝕不均勻性:±3%-+6%
刻蝕速率:0.1-4um/min(視具體材料與工藝)
工作臺:可升降,包含水冷
電源配置:上電極射頻,下電極偏壓,包含自動匹配
氣路數(shù)量與種類:6路耐氟基腐蝕氣路或用戶選配
操作模式:PLC+電腦顯示屏,全自動+半自動控制