性能指標
加速電壓: 200 KV； 電子槍：肖特基熱場發(fā)射超亮電子槍； TEM點分辨率：0.25 nm； TEM信息分辨率: 0.12 nm； STEM分辨率: 0.16 nm； 樣品傾斜角度X/Y：±30°； 能譜能量分辨率：136 ev; 元素檢測范圍：B～U元素。
主要應用
1. 對各種材料內部微結構進行觀察； 2. 粉末、納米顆粒形貌和粒徑觀察； 3. 選區(qū)電子衍射和晶體結構分析； 4. 金屬、陶瓷、半導體、塑料、等顯微結構分析； 5. 配合能譜儀可以對樣品元素做面分布分析，以及各種元素進行定性和半定量微區(qū)分析，元素檢測范圍：B～U元素； 6. 利用三維樣品桿可以實現(xiàn)TEM、STEM和EDS三維重構。
樣品要求
1. 透射電鏡不能直接觀察所有含有鐵鈷鎳元素的樣品，請做如下處理，否則不予以觀察：粉末樣品請包埋切片，塊體樣品請FIB切片； 2. 透射電鏡能夠觀察200nm以下的樣品； 3. 對于粉末和液體樣品，要求樣品均勻分散在支持膜上并且干燥，能夠區(qū)分正反面； 4. 對于塊體樣品，要求樣品大小為直徑3mm的圓，厚度小于200nm； 5. 高分辨樣品要求厚度小于10nm。
儀器說明
1. FEI Talos F200X 場發(fā)射透射電鏡的電子槍為肖特基熱場發(fā)射超亮電子槍，STEM 分辨率可以達到0.16nm。 2. 配備4個SDD探頭的超級能譜集成到了透射電鏡的極靴里面，對稱地放在樣品的上方，可以高效率探測到微量元素，以及材料成分在一維，二維，甚至三維空間的分布信息。 3. Talos F200X 還安裝了STEM明場和暗場探頭，可以同時得到STEM的明場像和暗場像以及髙角環(huán)形暗場像（HAADF）。
