Lumis EBSD 探測器采用了較*的 CMOS 傳感器技術，配有高級光學元件，使用加速索引算法，和低至 10 pA 及更低的束流來分析電子背散射花樣 (EBSP) 。
該探測器采用 > 220 萬像素模式采集，非常適合 HR-EBSD 應變測量和用于相鑒別。
使用光學和傳感器組合，可優(yōu)化探測器從而以每秒數(shù)千幀的速度進行高速 EBSD，以縮短采集時間并提高樣品處理量。高級光學元件和較高的傳感器靈敏度允許在低于 10 pA 的超低束流下采集 EBSP。這對于電子束敏感和劑量受限材料或者在較高的束流可能導致污染或漂移的情況下尤其重要。
一種大規(guī)格 CMOS 傳感器和一個反向變焦光學元件，以補充和擴展內(nèi)置 CMOS 傳感器組合。高效、八邊形閃爍器將背散射電子轉換為光，通過高質(zhì)量的反向變焦光學元器件聚焦到傳感器的用戶控制區(qū)域。這允許連續(xù)選擇“合并”EBSP 大小，并為 EBSP 速度、質(zhì)量和靈敏度提供靈活性。
