超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)老煉與測(cè)試服務(wù)范圍
處理器、存儲(chǔ)器、AD/DA、接?芯片等?規(guī)模集成電路、適用于各種封裝（DIP、SOP、BGA、PGA、QFP、PLCC、LCC等）。
超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)老煉與測(cè)試檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
l GJB597A-1996半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范
l GJB2438A-2002混合集成電路通?規(guī)范
l GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序
l GJB7243-2011電子元器件篩選技術(shù)要求
l AEC-Q100 STRESS TEST QUALIFICATION FOR INTEGRATED CIRCUITS
l MIT-STD-883E TEST METHOD STANDARD MICROCIRCUITS
l JESD22-A108-A Temperature, Bias, and Operating Life
檢測(cè)項(xiàng)目
試驗(yàn)設(shè)備 | 設(shè)備能? |
超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)老煉 | 系統(tǒng)分區(qū)：16 區(qū)； I/O通道數(shù)：128 路； 信號(hào)頻率：100MHz； 向量編程深度：32M； 試驗(yàn)溫度：-10℃?+125℃(±2℃)。 |
超大規(guī)模集成電路測(cè)試 | 能進(jìn)?動(dòng)態(tài)功能測(cè)試、直流參數(shù)測(cè)試、交流參數(shù)測(cè)試；能進(jìn)?常溫測(cè)試、低溫測(cè)試、?溫測(cè)試，溫度范圍：-55℃?+150℃ (±2℃)；I/O通道數(shù)：512路；信號(hào)頻率：≥200MHz；可升級(jí)； 向量編程深度：64M。 |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
在半導(dǎo)體集成電路國(guó)產(chǎn)化、小型化、高集成、高性能要求的趨勢(shì)下，行業(yè)引入了?量新材料、新?藝和新的器件結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致集成電路更高的缺陷密度，動(dòng)態(tài)老煉與測(cè)試是保證及提高其可靠性和質(zhì)量?致性的關(guān)鍵?法。
我們的優(yōu)勢(shì)
l 通過對(duì)大規(guī)模集成電路施加特定測(cè)試向量（有效測(cè)試向量），激勵(lì)內(nèi)在缺陷和錯(cuò)誤形成響應(yīng)，并通過電應(yīng)力和熱應(yīng)力的加速，在短時(shí)間內(nèi)讓不良品表現(xiàn)出失效現(xiàn)象，并通過測(cè)試?段予以剔除，以達(dá)到提高?規(guī)模集成電路使?可靠性的?的。
l 超?規(guī)模集成電路測(cè)試是確定或評(píng)估?規(guī)模集成電路的功能和電性能的過程，是驗(yàn)證設(shè)計(jì)、監(jiān)控?產(chǎn)、保證質(zhì)量、分析失效以及指導(dǎo)應(yīng)?的重要?段。特別在集成電路?產(chǎn)后期和使?前期不良率驗(yàn)證過程中，采?適當(dāng)?shù)臏y(cè)試向量和全?動(dòng)化的測(cè)試設(shè)備，可全?快速地識(shí)別不良產(chǎn)品，提?產(chǎn)品的交付可靠性。
