掃描電子顯微鏡
SEM3200
SEM3200是一款高性能、應(yīng)用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質(zhì)量、可兼容低真空模式、在不同的視場范圍下均可得到高分辨率圖像。
大景深，成像富有立體感。豐富的擴展性，助您在顯微成像的世界中盡情探索。
掃描電子顯微鏡
豐富的擴展性
SE/BSE/EDS/EBSD等
光學導(dǎo)航
可快速定位目標樣品和感興趣區(qū)域
*大圖拼接
可實現(xiàn)全自動的采圖和拼接，展示超大視野畫面
圖像混合成像（SE+BSE）
在一個圖像中觀察到樣品的成分和表面信息
*雙陽極結(jié)構(gòu)
雙陽極結(jié)構(gòu)設(shè)計，提升了低電壓下的分辨率和成像質(zhì)量
*低真空模式
在低真空下提供樣品表面細節(jié)和形貌，軟件一鍵切換真空狀態(tài)
（*為選配件）
碳材料樣品，低電壓下，穿透深度較小，可以獲取樣品表面真實形貌，細節(jié)更豐富。 毛發(fā)樣品，在低電壓下，電子束輻照損傷減小，同時消除了荷電效應(yīng)。 過濾纖維管材料，導(dǎo)電性差，在高真空下荷電明顯，在低真空下，無需鍍膜即可實現(xiàn)對不導(dǎo)電樣品的直接觀察。 生物樣品，采用大視場觀察，能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結(jié)構(gòu)細節(jié)，展現(xiàn)跨尺度分析。 想看哪里點哪里，導(dǎo)航更輕松 可通過雙擊移動、鼠標中鍵拖動、框選放大，進行快捷導(dǎo)航 采取多維度的防碰撞方案： 直觀反映整個視野的像散程度，通過鼠標點擊清晰處，可快速調(diào)節(jié)像散至。 一鍵聚焦，快速成像。 一鍵消像散，提高工作效率。 一鍵自動亮度對比度，調(diào)出灰度合適圖像。 SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像?？赏瑫r觀察到樣品的形貌信息和 拖動一條線，圖像立刻“擺正角度”。 掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察，更可以進行樣品表面的微區(qū)成分分析。 背散射電子成像模式下，荷電效應(yīng)明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。 鍍層樣品： 鎢鋼合金樣品： 探測器設(shè)計精巧，靈敏度高，采用4分割設(shè)計，無需傾斜樣品，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。 四個單通道的陰影像 成分像 LED小燈珠能譜面分析結(jié)果。 鎢燈絲電鏡束流大，滿足高分辨EBSD的測試需求，能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進行晶體取向標定以及晶粒度大小等分析。 普通芯片-1 普通芯片-2 負極-碳 負極-碳包硅 正極-鈷酸鋰 正極-錳酸鋰 太陽能電池-1 太陽能電池-2 高分子泡沫 催化劑-MOF材料 2A12鋁合金析出相 Mg-Zn合金化合物層 不銹鋼-黃銅焊接件 鈦合金基體組織 合金斷口脆性+韌性 韌性斷口 鋼鐵夾雜物BSE 鋼鐵夾雜物SE 硅藻-1 硅藻-2 雞葡萄球菌-1 雞葡萄球菌-2 大米 糯米淀粉顆粒-1 糯米淀粉顆粒-2 受潮鹽顆粒 粉體-鈦酸鋇 粉體- 粉體-氧化鋁 過濾功能材料 巖石 納米材料-二氧化硅微球 SiC陶瓷BSE SiC陶瓷SE 陶瓷復(fù)合材料產(chǎn)品特點（*為選配件）
低電壓
低真空
大視場
導(dǎo)航&防碰撞
光學導(dǎo)航
標配倉內(nèi)攝像頭，可拍攝高清樣品臺照片，快速定位樣品。
手勢快捷導(dǎo)航
如框選放大：在低倍導(dǎo)航下，獲得樣品的大視野情況，可快速框選您感興趣的樣品區(qū)域，提高工作效率。
防碰撞技術(shù)
1. 手動輸入樣品高度，精準控制樣品與物鏡下端距離，防止發(fā)生碰撞；
2. 基于圖像識別和動態(tài)捕捉技術(shù)，運動過程中對倉內(nèi)的畫面進行實時監(jiān)測；
3.*硬件防碰撞，可在碰撞一瞬間停止電機，減少碰撞損傷。
特色功能
智能輔助消像散
自動聚焦
自動消像散
自動亮度對比度
多種信息同時成像
成分信息。
快速圖像旋轉(zhuǎn)
豐富拓展性
SEM3200接口豐富，除支持常規(guī)的二次電子探測器（ETD）、背散射電子探測器（BSED）、X射線能譜儀（EDS）外，也預(yù)留了諸多接口，如電子背散射衍射（EBSD）、陰極射線（CL）等探測器都可以在SEM3200上進行集成。背散射電子探測器
二次電子成像和背散射電子成像對比
四分割背散射電子探測器——多通道成像
能譜
電子背散射衍射
該圖為Ni金屬標樣的EBSD反極圖，能夠識別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶，對材料組織結(jié)構(gòu)進行精確判斷。
應(yīng)用案例
產(chǎn)品參數(shù)
型號 SEM3200A SEM3200 電子光學系統(tǒng) 電子槍類型 預(yù)對中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍 分辨率 高真空 3 nm @ 30 kV（SE） 4 nm @ 30 kV（BSE） 8 nm @ 3 kV（SE） *低真空 3 nm @ 30 kV（SE） 放大倍率 1-300,000x（底片倍率） 1-1000,000x（屏幕倍） 加速電壓 0.2 kV～30 kV 成像系統(tǒng) 探測器 二次電子探測器（ETD） 背散射電子探測器、低真空二次電子探測器、*能譜儀EDS等 圖像保存格式 TIFF、JPG、PNG 真空系統(tǒng) 真空模式 高真空 優(yōu)于5×10-4 Pa 低真空 5～1000 Pa 控制方式 全自動控制 渦輪分子泵 ≥ 240 L/S 機械泵 200 L/min （50 Hz） 樣品室 攝像頭 光學導(dǎo)航 樣品倉內(nèi)監(jiān)控 樣品臺配置 三軸自動 五軸自動 行程 X: 120 mm X: 120 mm Y: 115 mm Y: 115 mm Z: 50 mm Z: 50 mm / R: 360° / T: -10°～ +90° 軟件 語言 中文 操作系統(tǒng) Windows 導(dǎo)航 光學導(dǎo)航、手勢快速導(dǎo)航 自動功能 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 特色功能 智能輔助消像散、*大圖拼接（選配軟件） 安裝要求 房間 長 ≥ 3000 mm，寬 ≥ 4000 mm，高 ≥ 2300 mm 溫度 20 ℃～25 ℃ 濕度 ≤ 50 % 電氣參數(shù) 電源AC 220 V(±10 %)，50 Hz，2 kVA 
