主要技術(shù)性能 ●電容偏差:±10%,各相等分組電容的大值與小值之比不大于1.1. ●介質(zhì)損耗角正切值tanδ (全膜介質(zhì))在額定電壓Un,20℃時(shí): A. Un≤1kV: tanδ≤0.0015。 B. Un >1kV:tanδ≤0.0012。 ●絕緣強(qiáng)度: 端子與外殼間能承受1kV工頻試驗(yàn)電壓1min。 ●冷卻水進(jìn)水溫度不超過30℃。 A. Qn≤1000kvar的電容器,水流量≥4L/min. B. Qn≥1000kvar的電容器,水流量≥6L/min. ●長(zhǎng)期運(yùn)行過電壓(24h中不超過4h)不超過1.1Un。 ●長(zhǎng)期運(yùn)行過電流(包括諧波電流)不超過1.35In。 ●戶內(nèi)安裝,海拔高度不超過1000m。 ●安裝運(yùn)行地區(qū)環(huán)境空氣溫度不高于50℃。 ●安裝場(chǎng)所無劇烈的機(jī)械振動(dòng),無有害氣體和蒸氣以及爆炸性塵埃。 ●RWM及RFM型水冷式,全薄膜電熱電容器性能符合JB7110-93《電熱電容器》及IEC60110(1998)《頻率40-24000Hz 感應(yīng)加熱裝置用電容器》標(biāo)準(zhǔn)。