PIN光電二極管，光電探測器，高靈敏度，低暗電流
First Sensor致力于研發(fā)各類具有高靈敏度和低暗電流的光電二極管系列產(chǎn)品，材料與加工工藝可根據(jù)具體客戶的具體產(chǎn)品需求進行調(diào)整，以此優(yōu)化產(chǎn)品參數(shù)，其中包括但不限于波長、速度和容量下的靈敏度。我們致力于為您找到您具體應用需求的理想技術(shù)。
6b系列，藍綠光敏感型光電二極管：
藍色光譜范圍內(nèi)敏感增強型PIN 光電二極管
| 訂購編碼 | 型號 | 封裝方式 | 有效面積尺寸（mm）/面積（mm2） | 暗電流（nA）5V | 上升時間（ns）410nm 5V 50Ω |
| 3001225 | PS13-6b | TO5 | 3.5×3.5 / 13 | 0.25 | 50 |
| 5000025 | PS100-6b | CERpinS | 10×10 / 100 | 1 | 200 |
6系列，具有超低暗電流的紅外光電二極管：
高性能PIN光電二極管，可用于檢測低電容光子及α、β、γ和X射線輻射
| 訂購編碼 | 型號 | 封裝方式 | 有效面積尺寸（mm）/面積（mm2） | 暗電流（nA）3.5V | 上升時間（ns）850nm 10V 50Ω |
| 3001208 | PC10-6 | TO5 | ?3.57 / 10 | 0.2 | 20 |
| 3001047 | PC20-6 | TO8 | ?5.05 / 20 | 0.3 | 25 |
| 3001054 | PS100-6 | CERpinG | 10×10 / 100 | 1 | 40 |
6系列/四象限PIN光電二極管：
| 訂購編碼 | 型號 | 封裝方式 | 有效面積尺寸（mm）/面積（mm2） | Gap（μm）150V | 暗電流（nA）3.5V | 電容（pf）10V | 上升時間（ns）850nm 10V 50Ω |
| 5000029 | QP1-6 | TO52 | ?1.13 / 4x0.25 | 16 | 0.1* | 1 | 20 |
| 3004334 | PC20-6 | TO8 | ? 7.8 / 4x12.5 | 42 | 2.0* | 25 | 40 |
| 3001232 | PS100-6 | CERpinG | 10x10 / 4x25 | 50 | 4.0* | 50 | 40 |
*每一部分
5系列，近紅外光敏感型高速光電二極管：
該系列外延式高速光電二極管可成為低工作電壓領(lǐng)域可見光與近紅外應用的理想之選。
| 訂購編碼 | 型號 | 封裝方式 | 有效面積尺寸（mm）/面積（mm2） | 暗電流（nA）3.5V | 上升時間（ns）405nm 3.5V 50Ω |
| 3001393 | PS0.25-5 | LCC6.1 | 0.5×0.5 / 0.25 | 0.1 | 0.4 |
| 3001048 | PS0.25-5 | SMD1206 | 0.5×0.5 / 0.25 | 0.1 | 0.4 |
Q系列，1064nm波段光電二極管：
該系列外延式高速光電二極管可成為低工作電壓領(lǐng)域可見光與近紅外應用的理想之選。
| 訂購編碼 | 型號 | 封裝方式 | 有效面積尺寸（mm）/面積（mm2） | 暗電流（nA）150V | 上升時間（ns）1064nm 150V 50Ω |
| 5000032 | PS100-Q | LCC10G | 10×10 / 100 | 80 | 14 |
Q系列/四象限PIN光電二極管：
| 訂購編碼 | 型號 | 封裝方式 | 有效面積尺寸（mm）/面積（mm2） | 暗電流（nA）150V | 上升時間（ns）1064nm 180V 50Ω |
| 3001177 | QP22-Q | TO8S | ?5.3 / 4×5.7 | 1.5* | 12 |
| 3001275 | QP45-Q | TO8Si with heater | 6.7×6.7 / 4×10.96 | 8* | 12 |
| 3001431 | QP100-Q | LCC10G | 10×10 / 4×25 | 6.5* | 12 |
| 3001386 | QP154-Q | TO1032i | ?14.0 / 4×38.5 | 10* | 12 |
| 3001433 | QP154-Q | TO1081i with heater | ?14.0 / 4×38.5 | 10* | 12 |
| 3001434 | QP154-Q | TO1081i with heater | ?14.0 / 4×38.5 | 10* | 12 |
*每一部分
i系列/InGaAs 銦鎵砷探測器：低暗電流、高靈敏度
First Sensor 提供大面積銦鎵砷 PIN (InGaAs PIN) 光電二極管，其活性傳感器表面直徑可達 3mm。該系列二極管具有低暗電流和高靈敏度（可達 1700nm 波長）的特點。另提供用于可見光波長范圍的增強型版本。外殼提供TO 解決方案和SMD 封裝方式備選。
| 訂購編碼 | 型號 | 封裝方式 | 有效面積尺寸（mm）/面積（mm2） | 光譜響應（A/W）650nm/1550nm | 暗電流（nA）5V | 電容（pf）5V |
| 3001210 | PC0.7-i | LCC6.1 | 1.0 / 0.7 | 0.05 / 0.95 | 2 | 70 |
| 3001212 | PC0.7-i | TO52S1 | 1.0 / 0.7 | 0.05 / 0.95 | 2 | 70 |
| 3001211 | PC0.7-ix | LCC10G | 1.0 / 0.7 | 0.3 / 0.95 | 2 | 70 |
| 3001213 | PC0.7-ix | TO1032i | 1.0 / 0.7 | 0.3 / 0.95 | 2 | 70 |
| 3001228 | PC7.1-i | TO5i | 3.0 / 7.1 | 0.05 / 0.95 | 25 | 700 |
德國First Sensor PIN光電探測器的原理是將光轉(zhuǎn)換成電壓（光電效應）或光電流的半導體部件。硅半導體中的P-N結(jié)是實現(xiàn)該過程的物理基礎(chǔ)。具有足夠能量的光子被探測器吸收后會形成光生載流子（電子空穴對）。光生載流子在空間電荷區(qū)完成分離后產(chǎn)生光電流。
在不施加外部電壓的情況下亦可分離光生載流子。該過程可采用反向電壓加速進程。如果不在飽和狀態(tài)下運行二極管，則光電流與吸光度值能夠在多個數(shù)量級維持線性關(guān)系。
根據(jù)外部連接方式，我們將運行狀態(tài)分為兩類：元件運行和二極管運行。在元件運行狀態(tài)下，二極管直接連接至電器終端，無需使用外部電壓源。在此種工作狀態(tài)下，系統(tǒng)無暗電流產(chǎn)生，便于檢測最小強度變化。
在二極管運行狀態(tài)下，外部電壓源與電器終端串行連接，向二極管施加反向電壓。在要求實現(xiàn)快速信號響應之應用領(lǐng)域，此種運行模式不啻為理想之選。但其主要缺點是暗電流會隨溫度升高而呈指數(shù)增長。
PIN光電二極管在P型半導體和N型襯底之間加入一層本征半導體層，形成本征半導體區(qū)（通常為空間電荷區(qū)）然而，該術(shù)語詞亦可用于具有逆導電性的元器件，但其前提是該元器件未涉及其他非線性效應。
First sensor PIN光電二極管的產(chǎn)品系列：
- Series 6b，350-650nm，藍綠光敏感PIN光電二極管；低電容，超低暗電流，長期穩(wěn)定的檢測性能
- Series 6，700-1000nm，超低暗電流的紅外PIN光敏二極管；高擊穿電壓；專門針對光伏與光導應用，可用于檢測低電容光子及α、β、γ和X射線輻射。
- Series 5，500-900nm，近紅外光敏型高速光電二極管；具有外延層結(jié)構(gòu)，可在低反向電壓下加快上升時間；通過優(yōu)化外延層厚度，有助于在800nm波段實現(xiàn)速度與靈敏度；高工作溫度下可保持低暗電流。
- Series Q，900-1100nm，四象限PIN光電二極管，1064nm增強型光電二極管，低電壓，低電容。
- Series i，900-1700nm，InGaAs銦鎵砷探測器，低暗電流，高靈敏度。
PIN光電探測器的應用領(lǐng)域：
- 光度測定
- 光脈沖測量
- 分析儀
- 熒光測量
- 光譜學
- 光通信
- 激光功率測量
- 光纖光度計
- 條碼讀取設(shè)備
- YAG激光輻射的測量
