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硅基底石墨烯(1*1'' 單層)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱上海巨納科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號1*1'' 單層
  • 所  在  地上海
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2024/2/9 16:22:37
  • 訪問次數(shù)96
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上海巨納科技有限公司是一個集科、工、貿(mào)為一體的現(xiàn)代化高科技企業(yè),下屬多家生產(chǎn)工廠和貿(mào)易公司,主要從事太陽能、光通信、生物化學、國際貿(mào)易、耗材配件等業(yè)務(wù)。公司分有光通信事業(yè)部、太陽能事業(yè)部、科學儀器事業(yè)部、生化儀器事業(yè)部、國際貿(mào)易事業(yè)部和耗材配件事業(yè)部。主營產(chǎn)品:1.公司生化儀器事業(yè)部前身是一個集開發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的專業(yè)性生化儀器工廠,擁有雄厚的技術(shù)力量、*的生產(chǎn)設(shè)備和工藝、完善的管理體系及優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù)。自成立二十多年以來,注重吸收德國*技術(shù),不斷采用新科技、新材料、新工藝、研制開發(fā)出了旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器、低溫槽、真空泵、超級恒溫槽、冷凍干燥機、培養(yǎng)箱、振蕩器、攪拌器、離心機、水浴鍋等各種系列的一百多個產(chǎn)品。產(chǎn)品高等院校、醫(yī)院、化工、生化、防疫、環(huán)保等科研單位,并大量出口到德國、巴基斯坦、印度尼西亞、西班牙、英國、巴西、中國臺灣等國家和地區(qū)。 2.光通信事業(yè)部,根據(jù)《低噪聲指數(shù)增益鉗制摻鉺光纖放大器》和《光纖光柵增強的L波段雙通摻鉺光纖放大器》等技術(shù),開發(fā)一系列適用于科學研究、實際光通信系統(tǒng)使用的高質(zhì)量低成本摻鉺光纖放大器(EDFA),技術(shù)達到水平。同時,做為光通信公司日本Santec株式會社在中國的光通信系列產(chǎn)品的代理商。3.太陽能事業(yè)部,主要從事太陽能電池,太陽能光伏,太陽能組件相關(guān)產(chǎn)品的研制、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、施工和服務(wù)。同時,以振興中國綠色能源為己任,與國外公司合作,把世界的太陽能設(shè)備帶給中國用戶。4.公司國際貿(mào)易部,作為多家世界高科技儀器公司在中國市場的總代理,與他們保持著*的合作關(guān)系。德國Nanofocus白光共焦表面形貌顯微系統(tǒng)(光學輪廓儀)、3D激光輪廓儀;瑞士Lyncee Tec SA公司的數(shù)字全息顯微鏡;美國CRAIC公司紫外,可見,紅外顯微分光光度系統(tǒng);加拿大ZABE(精密線性定位器、電機驅(qū)動反射鏡座,集成的微定位系統(tǒng),電機驅(qū)動微位移平臺);瑞士NOVASIN的壓差計和相對溫濕度計,法國Sofraser公司在線粘度計;德國BOECO實驗室儀器(分光光度計、各種攪拌器、離心機、PH儀, 電導計, 電極緩沖液、搖床、混合器、天平、實驗玻璃器材等),為國內(nèi)的客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。
簡要描述:硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si表面電阻:小于600Ω/sq定做:<300Ω/sq透明度:gt; 95%制備方法:1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯(1*1'' 單層) 產(chǎn)品信息

硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
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透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
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2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

 

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