MDPmap：
單晶和多晶硅片壽命測量設(shè)備用于復雜的材料研究和開發(fā)。
特點：
◇ 靈敏度：高的靈敏度，用于可視化迄今為止不可見的缺陷和調(diào)查外延層的情況
◇ 測量速度：6英寸硅片<5min，分辨率為1mm
◇ 壽命范圍：20ns到幾十ms
◇ 污染測定：源于坩堝和設(shè)備的金屬（鐵）污染
◇ 測量能力：從切割好的硅片到加工的樣品
◇ 靈活性：固定的測量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)
◇ 可靠性：模塊化和緊湊型臺式儀器，可靠性更高，正常運行時間>99%
◇ 重復性：> 99%
◇ 電阻率：電阻率測繪，無需頻繁校準
技術(shù)規(guī)格:
樣品尺寸 | 直徑達300mm（標準臺），直徑達450mm（定制），*小為5 x 5mm |
壽命測量范圍 | 20ns至幾十ms以上 |
電阻率 | 0.2 - >103Ω·cm，p-型/n-型 |
樣品材料 | 硅片、外延層、部分或加工的硅片、化合物半導體及更多材料 |
可測量的特性 | 壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導率 |
激發(fā)波長 | 選擇從355nm到1480nm的*多四個不同波長。980nm(默認) |
尺寸規(guī)格 | 體積：680 x 380 x 450毫米；重量：約65公斤 |
電源 | 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A |
細節(jié)：
◇ MDPmap被設(shè)計成一個緊湊的臺式非接觸電學表征工具，用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入范圍內(nèi)測量參數(shù)，如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應各種不同的樣品，包括外延層和經(jīng)過不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。
◇ MDPmap的主要優(yōu)點是它的高度靈活性，例如，它允許集成多達四個激光器，用于測量從較低到高的注入水平的壽命，或通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設(shè)施，以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選項?？梢杂貌煌牡貓D進行客戶定義的計算，也可以輸出主要數(shù)據(jù)進行進一步評估。對于標準的計量任務(wù)，預定義的標準只需按下一個按鈕就能進行常規(guī)測量。
附加選項：
◇ 光斑大小的變化
◇ 電阻率測量（晶圓）
◇ 方塊電阻
◇ 背景/偏光
◇ 反射測量（MDP）
◇ 太陽能電池的LBIC（擴散長度測量）
◇ 偏壓MDP
◇ 參考晶圓
◇ 硅的內(nèi)部/外部鐵制圖
◇ 集成加熱臺
◇ 靈活的激光器配置
MDPmap 測量案例：
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鈍化多晶硅的壽命圖 | 多晶硅的鐵污染圖 |
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| 單晶硅的硼氧圖 | 單晶硅的缺陷密度圖 |
| 碳化硅外延片（＞10μm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖（平均壽命τ=0.36μs） | |
| 高阻硅片（＞10000Ω·cm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖 | |
| 非鈍化硅外延片（20μm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖 | |
MDPmap 應用：
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