OPTM 系列顯微分光膜厚儀
頭部集成了薄膜厚度測(cè)量所需功能
OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
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波長(zhǎng)范圍 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
膜厚范圍 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
測(cè)定時(shí)間 | 1秒 / 1點(diǎn) | ||
光斑大小 | 10μm (*小約5μm) | ||
感光元件 | CCD | InGaAs | |
光源規(guī)格 | 氘燈+鹵素?zé)? | 鹵素?zé)?/td> | |
電源規(guī)格 | AC100V±10V 750VA(自動(dòng)樣品臺(tái)規(guī)格) | ||
尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自動(dòng)樣品臺(tái)規(guī)格之主體部分) | ||
重量 | 約 55kg(自動(dòng)樣品臺(tái)規(guī)格之主體部分) |
測(cè)量項(xiàng)目:
測(cè)量示例:SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測(cè)量
半導(dǎo)體晶體管通過(guò)控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)發(fā)送信號(hào),但是為了防止電流泄漏和另一個(gè)晶體管的電流流過(guò)任意路徑,有必要隔離晶體管,埋入絕緣膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜,或是作為通過(guò)CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精確的工藝控制,有必要測(cè)量這些膜厚度。