銅靶材Cu target 鄭科探小型磁控濺射靶材鍍膜銅膜料顆粒銅
以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時,不可避免地會引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量.微量的硫可以防止熱加工時晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋;但當(dāng)硫元素含量高于18 ppm時,會出現(xiàn)微裂紋;隨著兩種雜質(zhì)元素(硫和鉛)含量的增加,靶材裂紋的數(shù)量和電弧放電的數(shù)量會增加.因此,應(yīng)盡可能降低靶材中的雜質(zhì)含量,以提高薄膜的均勻性。
銅靶材鍍膜濺射儀
應(yīng)用領(lǐng)域:
離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛,通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象,并提高觀測效率,另外可以使用噴碳附件對樣品進(jìn)行蒸碳,實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。
銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù);
控制方式 | 7寸人機(jī)界面 手動 自動模式切換控制 |
濺射電源 | 直流濺射電源 |
鍍膜功能 | 0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序 |
功率 | ≤1000W |
輸出電壓電流 | 電壓≤1000V 電流≤1A |
真空 | 機(jī)械泵 ≤5Pa(5分鐘) 分子泵≤5*10^-3Pa |
濺射真空 | ≤30Pa |
擋板類型 | 電控 |
真空腔室 | 石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
樣品臺 | 可旋轉(zhuǎn)φ62 (可安裝φ50基底) |
樣品臺轉(zhuǎn)速 | 8轉(zhuǎn)/分鐘 |
樣品濺射源調(diào)節(jié)距離 | 40-105mm |
真空測量 | 皮拉尼真空計(jì)(已安裝 測量范圍10E5Pa 1E-1Pa) |
預(yù)留真空接口 | KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進(jìn)氣口 |