芯片封裝生產(chǎn)工藝流程簡(jiǎn)介: | |
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電子級(jí)高純水設(shè)備工藝流程: | |
電子級(jí)高純水設(shè)備工藝介紹: | |
原水→原水箱→增壓泵→石英砂過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→阻垢劑加藥系統(tǒng)/還原劑加藥系統(tǒng)→保安過(guò)濾器→中間水箱→高壓泵1→反滲透裝置1→中間水箱→PH調(diào)節(jié)裝置→高壓泵2→反滲透裝置2→純水箱→輸送泵→精密過(guò)濾器→EDI電除鹽系統(tǒng)→EDI高純水箱→輸送泵→拋光混床→TOC去除器→精密過(guò)濾器→用水點(diǎn) | |
注:本系統(tǒng)采用反滲透+EDI處理工藝,主要有四個(gè)部分組成,預(yù)處理系統(tǒng)、二級(jí)反滲透主機(jī)系統(tǒng)、EDI電除鹽系統(tǒng)、拋光混床系統(tǒng); | |
原水采用自來(lái)水通過(guò)增壓泵增壓進(jìn)入石英砂過(guò)濾器、活性炭過(guò)濾器,去除水中的懸浮物、膠體、有機(jī)物及余氯,配套有絮凝劑加藥系統(tǒng)和阻垢劑加藥系統(tǒng),可有效降低水中渾濁度,防止反滲透膜的結(jié)垢,提高反滲透膜的使用壽命; | |
二級(jí)反滲透系統(tǒng)采用美國(guó)陶氏反滲透膜技術(shù),自動(dòng)制膜技術(shù)有效保證每支膜的水處理性能。一級(jí)反滲透采用BW30-400型號(hào)的反滲透膜,該膜具有脫鹽率較高、操作壓力較小,抗污染性能,膜的脫鹽率可以達(dá)到99.7%;二級(jí)反滲透膜采用BW30-365系列膜,該膜廣泛使用二級(jí)反滲透系統(tǒng)中。二級(jí)反滲透出水水質(zhì)電導(dǎo)率可以達(dá)到4微西門子以下; | |
EDI電除鹽系統(tǒng)采用西門子模塊,EDI作為綠色脫鹽模式,具有以下優(yōu)點(diǎn):占地面積省、運(yùn)行成本低、系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、水質(zhì)穩(wěn)定、安裝維修簡(jiǎn)便、綠色環(huán)保,不需要酸堿再生、可實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)。EDI出水電阻率可以達(dá)到15~17兆歐; | |
拋光混床系統(tǒng)采用上海樹脂廠和羅門哈斯合資品牌拋光核級(jí)樹脂,拋光混床作為制取超純水的核心部件,經(jīng)處理后出水可以達(dá)到18兆歐以上,滿足微電子行業(yè)用水要求; | |
技術(shù)參數(shù)總表(以15t/h高純水設(shè)備為例) | |
項(xiàng)目型號(hào) | CL-15T/H型高純水設(shè)備 |
應(yīng)用行業(yè) | 微電子沖洗用水 |
設(shè)備控制方式 | 觸摸屏 PLC控制,各液位、壓力連鎖控制,實(shí)現(xiàn)無(wú)人值守 |
產(chǎn)水量 | 15T/H |
進(jìn)水水質(zhì)指標(biāo) | 市政自來(lái)水 ,電導(dǎo)率≤1000μS/cm |
產(chǎn)水水質(zhì) | 電導(dǎo)率≤0.055μS/cm(電阻率≥18MΩ.CM) |
反滲透設(shè)備系統(tǒng)脫鹽率 | 99.7% |
自來(lái)水損耗 | 26t/h |
進(jìn)水溫度 | 2~35℃ |
工作方式 | 可24小時(shí)運(yùn)行 |
設(shè)備運(yùn)行質(zhì)量 | 預(yù)處理部分約30噸 二級(jí)反滲透主機(jī)系統(tǒng)約5噸 EDI電除鹽和拋光混床:約4噸 |
設(shè)備額定功率 | 約55KW |
電源 | 380V AC 50HZ 三相五線 |
反滲透系統(tǒng)回收率 | 50~75% |
主機(jī)設(shè)備規(guī)格尺寸 | 長(zhǎng)6000*寬2500*高2000 |
廠房建議尺寸(含操作維護(hù)空間) | 長(zhǎng)19000*寬8000*高7000 |
進(jìn)水口徑 | DN100 PN1.0法蘭接口 |
出水口徑 | DN65 PN1.0法蘭接口 |
排污口徑 | DN150 PN1.0法蘭接口 |