DR-變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)量儀別稱:
介損測(cè)試儀、抗干擾介損測(cè)試儀、全自動(dòng)介損測(cè)試儀、異頻介損測(cè)試儀、異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀、抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀、全自動(dòng)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
DR-變頻抗干擾介質(zhì)損耗丈量儀作業(yè)原理:
在溝通電壓效果下,電介質(zhì)要耗費(fèi)有些電能,這有些電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮馨l(fā)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加溝通電壓時(shí),電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ,ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器丈量線路包含一規(guī)范回路(Cn)和一被試回路(Cx),如圖1所示。規(guī)范回路由內(nèi)置高安穩(wěn)度規(guī)范電容器與丈量線路構(gòu)成,被試回路由被試品和丈量線路構(gòu)成。丈量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器構(gòu)成。經(jīng)過丈量電路別離測(cè)得規(guī)范回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,再由數(shù)字信號(hào)處理器運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)收集辦法,經(jīng)過矢量運(yùn)算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。
DR-變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)量儀特點(diǎn):
1.超大液晶中文顯示
儀器配備了大屏幕(105mm×65mm)中文菜單界面,屏顯分為左右兩部分,左邊為功能菜單區(qū),右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示,每一步都非常清楚,操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作,微機(jī)自動(dòng)完成全過程的測(cè)量,是目前非常理想的介損測(cè)量設(shè)備。
2.海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器,能將檢測(cè)結(jié)果按時(shí)間順序保存,隨時(shí)可以查看歷史記錄,并可以打印輸出;
3.多種測(cè)試模式
儀器能夠分別使用正接法、反接法、CVT自激法等多種方式測(cè)試。
4.高速采樣信號(hào)
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
5.多重保護(hù)安全可靠
儀器具備輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過壓、過流、溫度等多重保護(hù)措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測(cè)功能,確保不接地設(shè)備不允許升壓。
DR-變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)量儀參數(shù):
準(zhǔn)確度: Cx:±(讀數(shù)×1%+1pF)
tgδ:±(讀數(shù)×1%+0.00040)
抗干擾指標(biāo):變頻抗干擾,在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
電容量范圍: 內(nèi)施高壓: 3pF~60000pF/10kV 60pF~1μF/0.5kV
外施高壓: 3pF~1.5μF/10kV 60pF~30μF/0.5kV
分辨率: zui高0.001pF,4位有效數(shù)字
tgδ范圍:不限,分辨率0.001%,電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
試驗(yàn)電流范圍:10μA~5A
內(nèi)施高壓:設(shè)定電壓范圍:0.5~10kV
zui大輸出電流: 200mA
電壓精度:±(1.5%×讀數(shù)+10V)
電壓分辨率:1V
試驗(yàn)頻率: 45、50、55、60、65Hz單頻
45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻
頻率精度: ±0.01Hz
外施高壓:正接線時(shí)zui大試驗(yàn)電流1A,工頻或變頻40-70Hz
反接線時(shí)zui大試驗(yàn)電流10kV/1A,工頻或變頻40-70Hz
CVT自激法低壓輸出:輸出電壓3~50V,輸出電流3~30A
測(cè)量時(shí)間:約40s,與測(cè)量方式有關(guān)
輸入電源:180V~270VAC,50Hz/60Hz±1%,市電或發(fā)電機(jī)供電
計(jì)算機(jī)接口:標(biāo)準(zhǔn)RS232接口
打印機(jī):煒煌A7熱敏微型打印機(jī)
環(huán)境溫度:-10℃~50℃
相對(duì)濕度: <90%