品牌	產地	型號	特點
Micro Resist	德國	mr-I 7000E系列	Tg = 60℃ 優(yōu)異的成膜質量由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間壓印溫度125 - 150℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I 8000E系列	Tg = 115℃ 優(yōu)異的成膜質量由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間壓印溫度170 - 190℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I PMMA 35k/75k系列	Tg = 105℃ 優(yōu)異的成膜質量低分子量從而實現(xiàn)高效的流動性壓印溫度150 - 180℃，壓印壓力50 bar 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I T85系列	Tg = 85℃ 優(yōu)異的成膜質量壓印溫度140 - 170℃，壓印壓力大于5 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠非極化熱塑性、具有優(yōu)異的紫外和光學透過率，高化學穩(wěn)定性可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I 9000E系列	熱固化之前Tg = 35℃ 優(yōu)異的成膜質量接近等溫加工處理 n 壓印溫度120℃ n 脫模溫度100℃ 壓印時溫度從Tg到Tg，Cured增加并固化非常低的殘余膠層厚度低至5 nm Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-NIL 6000系列	光化學固化之前Tg = 40℃ 優(yōu)質的固體光膠薄膜接近等溫加工處理：壓印、紫外曝光固化，壓印與脫模在同一溫度下進行非常低的殘余膠層厚度低至10 nm 圖案轉移時高保真度 Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）寬帶或i線曝光

		mr-UVCur06	旋涂使用優(yōu)質的成膜質量和膠厚均一性室溫加工處理由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間低劑量紫外曝光快速固化可獲得優(yōu)于30 nm的分辨率（取決于模版分辨率） Plasma刻蝕高阻抗性能 O2 Plasma刻蝕可無殘余去除寬帶或i線曝光