華科智源-二極管浪涌測試儀,可測試二極管,MOS,IGBT,以及SIC器件浪涌電流能力,可輸出底寬10ms,8.3ms,1ms,10us等正弦半波或方波,浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上,電流可達(dá)50kA;
華科智源-二極管浪涌測試儀是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。
半導(dǎo)體器件在工作時,有時要承受較大的沖擊電流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌電流的能力也不同,為了檢測器件承受浪涌電流的能力,可產(chǎn)生一個大的浪涌電流施加于被測器件上,從而檢測被測器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。
華科智源二極管浪涌測試儀的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。浪涌電流試驗臺,是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點:
1、該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設(shè)備,對設(shè)備的電氣性能要求高。
2、該試驗臺的測試控制采用自動控制,測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動測試。
3、該試驗臺采用計算機(jī)記錄測試結(jié)果,并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。
4、該套測試設(shè)備主要由以下幾個單元組成:
a、浪涌測試單元
b、阻斷參數(shù)測試單元
c、計算機(jī)控制系統(tǒng)
二、技術(shù)條件
2.1 環(huán)境要求:
1、環(huán)境溫度:15—40℃
2、相對濕度:存放濕度不大于80%
3、大氣壓力:86Kpa—106Kpa
4、海拔高度:1000米以下
5、電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無嚴(yán)重諧波
6、電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz
7、電源功率:小于1.5KW
8、供電電網(wǎng)功率因數(shù):>0.9
2.2主要技術(shù)指標(biāo):
1、浪涌電流(ITSM/IFSM)測試范圍:30~1200A;選配3000A,8000A,20kA,50kA等
2、浪涌電流(ITSM/IFSM)精度要求:顯示分辨率1A精度±3%
浪涌電流(ITSM/IFSM)波形:近似正弦半波;
3、浪涌電流底寬:8.3和10ms;選配1ms,10us等
4、測試頻率:單次;重復(fù)
5、反向電壓(VRRM)測試范圍:200~2000V;
6、反向電壓(VRRM)顯示分辨率10V,精度±3%;
7、反向電壓頻率:DC直流
8、各種模塊均手動連接,并以單管形式測試。
9、采用計算機(jī)控制、采樣及顯示;