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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
SYV75-7射頻電纜按絕緣型式分類(lèi)
(1)實(shí)體絕緣電纜
在這種電纜的內(nèi)外導(dǎo)體之間全部填滿實(shí)體高頻電介質(zhì),大多數(shù)軟同軸射頻電纜都是采用這種絕緣型式。
(2)空氣絕緣電纜
電纜的絕緣層中,除了支撐內(nèi)外導(dǎo)體的一部分固體介質(zhì)外,其余大部分體積均是空氣。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是從一個(gè)導(dǎo)體到另一個(gè)導(dǎo)體可以不通過(guò)介質(zhì)層??諝饨^緣電纜具有很低的衰減,是超高頻下常用的結(jié)構(gòu)型式。
(3) 半空氣絕緣電纜
這種結(jié)構(gòu)型式是介于上述兩種之間的一種絕緣型式,其絕緣也是由空氣和固體介質(zhì)組合而成,但從一個(gè)導(dǎo)體到另一個(gè)導(dǎo)體需要通過(guò)固體介質(zhì)層。
SYV75-7射頻電纜
射頻電纜的衰減與導(dǎo)體,介質(zhì),結(jié)構(gòu)尺寸,工藝水準(zhǔn)和工作的頻率都有關(guān)。
1、在50MHz以下衰減常數(shù)偏大或超差,而高頻有余量,常常是鋁塑復(fù)合帶中的鋁基太薄所致,在頻率比較低的時(shí)候,鋁基的厚度小于或與該頻率的透射深度相當(dāng),造成了αR過(guò)大。根據(jù)理論計(jì)算,f=50MHz時(shí)的鋁層透射深度為12.2µm。一般采取12~15µm的鋁基可以解決這個(gè)問(wèn)題。(當(dāng)然,如果考慮到屏蔽衰減的要求可以再適當(dāng)加厚)
2、選擇PE在使用頻率內(nèi)的tanδ較大,如達(dá)到x×10-3級(jí)別,則會(huì)造成絕緣結(jié)構(gòu)的tanδ增大,從而使電纜的衰減增大。所以要注意2個(gè)問(wèn)題,一是tanδ要小(如在400MHz時(shí)的tanδ為2~4×10-4,越小越好),一是工藝性能(如熔融指數(shù)為0.5~10)應(yīng)適應(yīng)與絕緣的擠出,不同的熔融指數(shù)有不同的溫度。
3、外導(dǎo)體編織一般60%-80%為宜,偏大對(duì)降低衰減效果不是很明顯。
4、絕緣生產(chǎn)用的模具設(shè)計(jì)和加工也是關(guān)鍵,應(yīng)該保證產(chǎn)品達(dá)到較理想的均勻結(jié)構(gòu),使等效介點(diǎn)常數(shù)達(dá)到設(shè)計(jì)要求。