詳細(xì)介紹
載流子濃度遷移率測試儀主要應(yīng)用:
?*無機(jī)半導(dǎo)體材料,有機(jī)半導(dǎo)體材料OLED等;?*有機(jī)太陽能電池OPV;?*鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell;?*無機(jī)太陽能電池(例如:單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池);?*染料敏化太陽能電池DSSC;
載流子濃度遷移率測試儀主要測量功能:
*大功率點(diǎn)MMP,F(xiàn)F,Voc,Isc,遷移率,理想因子(空間電荷限制電流SCLC法)?*電子與空穴遷移率,載流子俘獲動(dòng)力學(xué)過程(瞬態(tài)光電流法)?*電子與空穴的復(fù)合,載流子俘獲動(dòng)力學(xué)過程(瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法)?*俘獲動(dòng)力學(xué)過程(雙脈沖瞬態(tài)光電流)?*載流子遷移率(暗注入瞬態(tài)法)?*串聯(lián)電阻,幾何電容,RC時(shí)間(電壓脈沖法)?*參雜密度,電容率,串聯(lián)電阻,載流子遷移率(暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法)?*載流子遷移率,載流子密度(光照線性增加載流子瞬態(tài)法)?*載流子復(fù)合過程,朗之萬函數(shù)復(fù)合前因子(時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法)?*不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度,載流子遷移率(注入線性增加載流子瞬態(tài)法)?*幾何電容,電容率(MIS線性增加載流子瞬態(tài)法)?*載流子遷移率,陷阱強(qiáng)弱度,等效電路(阻抗譜測試)?*遷移率,陷阱強(qiáng)弱度,電容,串聯(lián)電阻(電容VS頻率)?*內(nèi)建電壓,參雜濃度,注入勢壘,幾何電容(電容VS電壓)?*發(fā)射開關(guān)電壓(電流電壓照度特性)?*發(fā)光壽命,載流子遷移率(瞬態(tài)電致發(fā)光法)
測量技術(shù):
1)IV/IVL特性:IV和IVL曲線是針對(duì)OLED和OPV標(biāo)準(zhǔn)的量測手法,通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強(qiáng)的特性關(guān)系;
*對(duì)于太陽能電池可通過空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等;
2)瞬態(tài)光電流響應(yīng)法(Transient Photocurrent ):研究器件內(nèi)電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程和載流子遷移率等;
3)瞬態(tài)光電壓(Transient Photovoltage):研究器件內(nèi)部電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程和復(fù)合過程;
4)雙脈沖瞬態(tài)光電流(Double Transient Photocurrent):分析電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程;
5)暗注入瞬態(tài)法(Dark Injection):電荷載流子遷移率分析;
6)電壓脈沖法(Voltage Pulse):串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析;
7)暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法(Dark-CELIV):參雜濃度、相對(duì)介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測量;
8)光照線性增壓載流子瞬態(tài)法(Photo-CELIV):提取有機(jī)太陽能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility ,以及載流子濃度分析等;
9)時(shí)間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法(Delaytime-CELIV):復(fù)合動(dòng)態(tài)過程分析和郎之萬復(fù)合因子分析等;
10)注入線性增壓載流子瞬態(tài)法(Injection-CELIV):電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測量分析;
11)MIS-CELIV:幾何電容和相對(duì)介電常數(shù)分析;
12)阻抗譜測量(Impedance Spectroscopy):量測器件內(nèi)電荷載流子遷移率和載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程等;
13)電容頻率測量法(C-f): 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測量;
14)電容電壓測量法(C-V):內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量;