The ME4413D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
ME4413D是P通道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高密度DMOS溝道技術(shù)制造。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些設備特別適用于低電壓應用，如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在非常小的外形表面貼裝封裝中需要低串聯(lián)功耗。
特征
RDS（開）8806mO@VGS=-4.5V
RDS（開）8806mO@VGS=-2.5V
RDS（開）8806mO@VGS=-1.8V
極低RDS的超高密度單元設計（開）
靜電防護
應用
筆記本電源管理
便攜式設備
電池供電系統(tǒng)
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FEATURES
● RDS(ON) ≦13mΩ@VGS=-4.5V
● RDS(ON) ≦17mΩ@VGS=-2.5V
● RDS(ON) ≦26mΩ@VGS=-1.8V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● ESD protection
APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Portable Equipment
● Battery Powered System
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