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沈陽科晶自動化設備有限公司
參 考 價 | 面議 |
高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV
產品簡介:高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機組組成,可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品(尺寸可達3″ )的退火,并采用 10KW的紅外燈進行加熱,升溫速度可達 120℃/s,配有RS485 接口,可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。
產品型號 | 高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV |
安裝條件 | 本設備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:不需要 2、電:AC220V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設備腔室內需充注氣體,需自備氣瓶氣源 4、工作臺:尺寸1600mm×600mm×700mm,承重150kg以上 5、通風裝置:需要 |
主要特點 | 1、雙層Al2O3纖維鋼構,無需水冷或風冷。 2、內爐膛表面涂有進口高溫氧化鋁涂層,可以提高設備的加熱效率及延長儀器的使用壽命。 3、PID控制器,可以設置30段升降溫程序,并設有過熱保護和斷偶功能。 4、已通過CE認證。 |
技術參數 | 1、電源:單相208V-240V AC 50Hz/60Hz 10KW 2、石英管:外徑Ø110mm,內徑Ø103mm,長380mm 3、加熱元件:8根紅外燈管,燈絲長200mm,絲圈Ø10mm,燈長300mm 4、加熱區(qū):300mm 5、工作溫度:溫度1100℃ 6、控溫精度:±0.5℃ 7、升溫速度:RT-800℃時為50℃/s,800℃-1000℃時為10℃/s 8、溫控儀:可控硅(SCR)PID自動控制 9、真空法蘭:不銹鋼,帶有水冷接口和針閥,雙層高溫O型圈密封,長時間在>900℃條件下運行必須采用水 冷,循環(huán)水流量為0.5m3/hr 10、真空度:10-2torr(機械泵),10-5torr(分子泵) 11、質量流量計:3個,MFC1范圍0-100sccm,MFC2范圍0-200sccm,MFC3范圍0-500sccm,精度1±%FS 12、混氣罐:Ø80mm×120mm |
產品規(guī)格 | 尺寸:爐體760mm×330mm×530mm,真空混氣系統(tǒng)600mm×600mm×597mm 重量:爐體45kg,真空混氣系統(tǒng)75kg |
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