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廣州安特激光技術有限公司
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更新時間:2024-05-24 08:39:06瀏覽次數(shù):67次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線產品介紹:Helios設計與飛秒激光放大器一起工作,采集14fs-8ns時域的瞬態(tài)吸收光譜,包括:基態(tài)漂白(GroundStateBleaching)、激發(fā)態(tài)吸收(ExcitedStateAbsorption),受激輻射(StimulatedEmission)等光譜信息
產品介紹:
Helios設計與飛秒激光放大器一起工作,采集14 fs - 8 ns時域的瞬態(tài)吸收光譜,包括:基態(tài)漂白 (Ground StateBleaching)、激發(fā)態(tài)吸收 (Excited State Absorption),受激輻射 (Stimulated Emission)等光譜信息。
籍此分析單線態(tài)能級躍遷引發(fā)超快速能量轉移、電子遷移、激發(fā)態(tài)能級躍遷、熒光輻射等信息。高速智能延時線,采集14 fs - 8 ns,采集~106時域的3D瞬態(tài)吸收光譜,需~30 min(5min fire)。10 nJ(10 μW @1 kHz)低能量泵浦,適用于OPV/OLED/AIE等材料研究。大光譜范圍:350 - 2400 nm,標配 450 - 800 nm。CMOS線陣列傳感器,數(shù)據(jù)采集可與1000 Hz(可選:5,000 Hz)激光器同步??缮墳槁瓷?Diffused reflectance)瞬態(tài)吸收光譜儀,內置Kubelka–Munk方程計算光吸收,漫反射與透射可以切換使用。
產品參數(shù):
延時分辨率 | 14 fs |
時間分辨率* | 1.4 x 激光脈沖時間 |
時間窗口 | 8 ns |
適合激光頻率 | 任意 |
探測波長
| 450 - 800 nm |
350 - 750 nm | |
選配:800 - 1600 nm | |
選配:1.6 – 2.4 µm | |
Vis檢測器 | CMOS線陣列傳感器 |
像素 | 1024 |
響應波長 | 200 - 1000 nm |
分辨率 | 2 nm (50 µm 狹縫時),4 nm (200 µm 狹縫時) |
光譜范圍 | 600 nm (通常: 350 - 950 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s,14bit |
NIR檢測器 | InGaAs線陣列傳感器 (選配) |
像素 | 256 |
響應波長 | 800 - 1600 nm |
分辨率 | 5 nm (50 µm 狹縫時),13 nm (200 µm 狹縫時) |
光譜范圍 | 800 nm (通常: 800 - 1600 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s,14bit; |
SWIR檢測器 | InGaAs線陣列傳感器 (選配) |
像素 | 256 |
響應波長 | 1000 - 2600 nm |
分辨率 | 5 nm (50 µm 狹縫時),13 nm (200 µm 狹縫時) |
光譜范圍 | 800 nm (通常: 1600 - 2400 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s,14bit |
數(shù)據(jù)格式 | ASCII CSV (兼容Excel) |
數(shù)據(jù)采集軟件 | Helios 4.x |
數(shù)據(jù)分析軟件 | Surface Xplorer |
光學模塊體積 (長寬高) | 915 X 610 X 250 mm3 |
電子模塊體積 (長寬高) | 534 X 610 X 686 mm3 |
* 分辨率與飛秒激光器的脈沖半峰寬有關,如果采用半峰寬為100fs的激光器,分辨率為140fs,在這里,分辨率是儀器的響應特征IRF。
主要應用:
1. 染料敏化光伏材料(CdSe, PbS量子點)的超快電荷分離研究
2. 有機光電材料(OPV)的電荷分離、電子遷移
3. 鈣鈦礦光伏材料的電荷分離、電子傳遞
4. 半導體載流子遷移率非線性光吸收材料的激發(fā)態(tài)吸收
5. 有機發(fā)光材料(OLED)的單線態(tài)失活、系間竄越、生成三線態(tài)過程
6. 金屬配位卟啉類材料
7. 光催化過程的超快電荷轉移
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