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更新時(shí)間：2022-12-04 17:06:58瀏覽次數(shù)：563次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線本產(chǎn)品是利用低能量平行Ar+離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理
本產(chǎn)品是利用低能量平行Ar+離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率，陡真性方法，它可以對(duì)所有材料進(jìn)行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等。
詳細(xì)描述
本產(chǎn)品采用口徑φ200mm考夫曼型離子源，通過結(jié)構(gòu)的雙鉬柵離子光學(xué)系統(tǒng)及SHAG技術(shù)保證在φ150mm范圍內(nèi)束流的均勻性為±5%，電子中和系統(tǒng)可使樣片上的電荷積累為零。
本設(shè)備的刻蝕工作臺(tái)可繞工作中心自轉(zhuǎn)，離子束入射角可在0～90°之間任意調(diào)整。
本設(shè)備具有刻蝕速率穩(wěn)定、均勻性好、重復(fù)性好等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
自動(dòng)控制系統(tǒng)采用工控計(jì)算機(jī)及PLC控制、觸摸顯示屏操作，實(shí)現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過程自動(dòng)化。本機(jī)可選擇全自動(dòng)及非全自動(dòng)模式。
產(chǎn)品主要性能指標(biāo)
型號(hào) | IBE-200Z |
真空系統(tǒng) | 分子泵機(jī)組 |
刻蝕室數(shù)量 | 單刻蝕室 |
刻蝕室規(guī)格 | 435×406×490mm |
工作臺(tái)尺寸 | ?200mm（片徑≤6英寸） |
離子束入射角 | 0～90°之間任意調(diào)整 |
刻蝕速率 | 100?～2000?/min（與刻蝕材料和工藝有關(guān)） |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
Ar+離子能量范圍 | 100～1000eV，連續(xù)可調(diào) |
離子束流密度 | 0～1mA/cm2，連續(xù)可調(diào) |
有效離子束直徑 | ≥?100mm（屏柵極直徑?150mm） |
電子中和 | 帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置 |
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