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北京合能陽光新能源技術有限公司

HS-NCS-200非接觸厚度電阻率測試儀

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更新時間:2022-03-12 10:54:31瀏覽次數:488次

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HS-NCS-200非接觸厚度電阻率測試儀一、測試原理1、電阻率測試探頭原理電阻率測試模塊是由一對共軸渦流傳感器,以及后續(xù)的處理電路組成
                

HS-NCS-200非接觸厚度電阻率測試儀

 一、測試原理 

1、電阻率測試探頭原理 電阻率測試模塊是由一對共軸渦流傳感器,以及后續(xù)的處理電路組成。將半導體硅片置于兩個探頭的間隙中時,在電磁場的作用下,半導體硅片中會產生渦流效應,通過檢測渦流效應的大小,可以換算出該硅片的電阻率和方塊電阻。本方法是一種非接觸無損測量的方法,不損傷材料表面,可以在大多數場合有效替代四探針法測試電阻率以及方塊電阻。

 

 

 2、厚度測試探頭原理 厚度探頭采用的是一對共軸電容位移傳感器。電容傳感器具有重復性好,測試數值穩(wěn)定,技術成熟等優(yōu)點,廣泛用于各種材料厚度的測試。 

二、適用范圍 

本設備為非接觸無損測量設備,測試過程中對硅片表面以及內部不會造成損傷。特別適用于代替四探針法用于半導體硅片成品分選檢驗。一臺儀器可以同時對厚度和電阻率兩個指標進行測試分選,減少了測試工序和測試時間,提高了測試效率。 典型的客戶:科研單位、硅片生產廠商、半導體器件生產廠商、光伏企業(yè)、導電薄膜研發(fā)生產企業(yè)。

 三、儀器構成 

1、測試主機:1臺 2、電源線:1根 3、串口數據線:1根 4、電腦端軟件:1套 5、塑料定位柱:2個

 四、儀器外觀尺寸結構及圖片

 1、整機尺寸:340*260*180mm 

2、機箱顏色:電腦白 

3、儀器結構:本儀器采用厚度探頭和電阻率探頭前后并列安裝的方式。 

儀器外觀圖片(不同批次外觀有細微區(qū)別) 

五、儀器主要指標 

1、電氣規(guī)格 a.使用標準三插頭,由220V交流電供電,整機功耗小于15瓦。 b.本儀器測試平臺和外殼均為金屬材料,按照安全規(guī)范,請確保電源地線正確連接。 

2、測試范圍 測試樣品要求:厚度小于600um的半導體硅片以及其他類似材料。(為客戶提供特殊定制,厚度的測試范圍可以擴展到800um) 電阻率范圍: L檔: 0.2-5 Ω·cm H檔: 5-50 Ω·cm 注:電阻率不在上述量程范圍內的可以按要求調整,調整的范圍可以在0.001-100Ω*cm。 厚度范圍: 100-600 um (定制版可以做到 300-800um) 注:普通版本厚度大于700um的硅片無法放入測試區(qū)域。

 3、電阻率測試精度(在正確校準,23攝氏度環(huán)境中預熱2小時的情況下測定) 范圍(單位)重復度 測量誤差(正確校準情況下) 0.2-5 Ω*cm<1%<5% 5-50 Ω*cm<2%<5% 注:該數據為500um左右厚度硅片中心電阻率測試結果。 

4、厚度測試精度(在正確校準,23攝氏度環(huán)境中預熱2小時的情況下測定) 范圍(單位)重復度測量誤差(正確校準情況下) 100-600 um<+-1um<+-1um 

六、安裝說明 

1、軟硬件要求 自備帶有串口(DB9接口)的筆記本或者臺式電腦,屏幕分辨率不低于1024*1280.預裝XP系統(tǒng)以及EXCEL 2003辦公軟件(本公司不提供XP系統(tǒng)以及OFFICE軟件)。

 2、儀器安裝和環(huán)境要求

 a、推薦測試條件為23±2℃,相對濕度小于70%,測試環(huán)境推薦使用空調等調溫設備,保持室內溫濕度的穩(wěn)定。 

b、放置在水平堅固的桌面上,避免傾側或者震動。

 c、勿靠近熱源,強的電磁場或者出風口。特別提醒:等無線通訊設備工作過程中會產生電磁脈沖,干擾測試結果。測試時請與設備保持1m以上的距離。 

d、環(huán)境需要一定的清潔度 e、勿堵塞儀器底面和后面板的風扇散熱口。 f、DB9數據線和電源線按照要求接好。

 八、儀器使用簡介(詳細的信息請參考使用說明書)

 1 開機預熱 打開儀器后面板開關,散熱風扇開始工作,打開軟件。預熱30分鐘,使得儀器跟環(huán)境之間溫度達到平衡再開始校準和測試。本儀器工作功率15w以內,可以長時間連續(xù)開機,推薦工作時間內不需要關機。

 2 厚度校準 厚度校準采用2片硅片校準。校準硅片的值可以取200um左右和600um左右的經過標定的硅片各一片。其中測試3寸片的時候需要用三寸的樣片校準,4寸及以上使用4寸片校準。使用過程中,由于環(huán)境溫度和濕度的變化,厚度測試值可能會出現(xiàn)漂移。請隔2-3小時用校準硅片點檢一次,出現(xiàn)漂移請重新校準。

 3.電阻率校準 電阻率校準采用的也是2片硅片校準。校準硅片可以選取500um左右厚度的硅片,一般要求被測試片的值在兩片校準樣片測試值之間。與厚度測試類似,由于環(huán)境溫度的變化,電阻率測試值可能會出現(xiàn)漂移。請隔2-3小時用校準硅片點檢一次,出現(xiàn)漂移的話請重新校準。

 4.測試臺面清潔 測試臺面使用的是鋁氧化層,具有耐磨和光滑的特點,勿使用硬物敲或者鋒利的刀片劃,否則可能損壞表面,影響使用。日常清潔可以使用布沾酒精輕輕擦拭。清潔表面之后,請過10-20分鐘,等酒精和水分*揮發(fā)之后,再進行測試。否則水蒸氣或者酒精蒸汽可能會影響測試結果。

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