以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時(shí),不可避免地會(huì)引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量.微量的硫可以防止熱加工時(shí)晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋;但當(dāng)硫元素含量高于18 ppm時(shí),會(huì)出現(xiàn)微裂紋;隨著兩種雜質(zhì)元素(硫和鉛)，銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD為臺(tái)式磁控濺射鍍膜機(jī)，儀器結(jié)構(gòu)緊湊，全自動(dòng)控制，設(shè)計(jì)符合人體工程學(xué)，所得結(jié)果一致，可重復(fù)性高。

詳細(xì)介紹

銅靶材Cu target 鄭科探小型磁控濺射靶材鍍膜銅膜料顆粒銅

以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時(shí),不可避免地會(huì)引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量.微量的硫可以防止熱加工時(shí)晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋;但當(dāng)硫元素含量高于18 ppm時(shí),會(huì)出現(xiàn)微裂紋;隨著兩種雜質(zhì)元素(硫和鉛)含量的增加,靶材裂紋的數(shù)量和電弧放電的數(shù)量會(huì)增加.因此,應(yīng)盡可能降低靶材中的雜質(zhì)含量,以提高薄膜的均勻性。

高純度銅靶材

銅靶材鍍膜濺射儀

應(yīng)用領(lǐng)域：

離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象，并提高觀測(cè)效率，另外可以使用噴碳附件對(duì)樣品進(jìn)行蒸碳，實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù)；

控制方式	7寸人機(jī)界面手動(dòng) 自動(dòng)模式切換控制
濺射電源	直流濺射電源
鍍膜功能	0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序
功率	≤1000W
輸出電壓電流	電壓≤1000V 電流≤1A
真空	機(jī)械泵 ≤5Pa（5分鐘）分子泵≤5*10^-3Pa
濺射真空	≤30Pa
擋板類型	電控
真空腔室	石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm
樣品臺(tái)	可旋轉(zhuǎn)φ62 （可安裝φ50基底）
樣品臺(tái)轉(zhuǎn)速	8轉(zhuǎn)/分鐘
樣品濺射源調(diào)節(jié)距離	40-105mm
真空測(cè)量	皮拉尼真空計(jì)（已安裝測(cè)量范圍10E5Pa 1E-1Pa）
預(yù)留真空接口	KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進(jìn)氣口