多晶硅超聲波清洗機(jī)
型號(hào):VGT-15204FST
多晶硅超聲波清洗機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn)
1、械手或多機(jī)械手組合,實(shí)現(xiàn)工位工藝要求。
2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面,操作便利。
3、自動(dòng)上下料臺(tái),準(zhǔn)確上卸工件。
4、凈化烘干槽,*的烘干前處理技術(shù),工作干燥無水漬。
5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng),確保良好工作環(huán)境。
6、具備拋動(dòng)清洗功能,保證清洗均勻。
7、全封閉清洗均勻。
8、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng),確保良好工作環(huán)境。
應(yīng)用范圍:
多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備,可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物,且不破壞晶片表面特性。
爐前(RCA)清洗:擴(kuò)散前清洗
光刻后清洗:除去光刻膠。
氧化前自動(dòng)清洗:氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。
拋光后自動(dòng)清洗:除去切、磨、拋的沾污。
外延前清洗:除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。
合金前、表面鈍化前清洗:除去鋁布線后,表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)?/span>
離子注入后的清洗:除去光刻膠,SiO2層。
擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗:除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。
CVD后清洗:除去CVD過程中的顆粒。
附件及工具的清洗:除去表面所有的沾污物。
技術(shù)參數(shù):
超聲波功率:10.2KW
超聲波頻率:40K/80KHZ
換能器數(shù)量:204個(gè)
電源電壓:三相五線380V
技術(shù)優(yōu)勢:
因清洗多晶硅需放置于清洗籃/網(wǎng)袋中,網(wǎng)袋會(huì)吸能及阻擋部分超聲波,本機(jī)采用中高頻超聲波清洗機(jī)。中頻超聲能迅速*的將污漬震出,高頻超聲能深入縫隙清洗,本機(jī)具備中頻超聲波轟擊強(qiáng)度大,清洗速度快的特點(diǎn),具備高頻超聲穿透性好,密度高的特點(diǎn),便于穿透網(wǎng)袋作用到產(chǎn)品上,同時(shí)增加了加熱功能,產(chǎn)品在熱水中清洗更容易將污漬化開而去除,清洗完成后只需將放水閥打開放出污水即可。