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廠家直供大功率正向壽命試驗臺

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產(chǎn)品型號EN-ZXSM

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更新時間：2018-09-14 15:53:29瀏覽次數(shù)：394次

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西安誼邦電子科技有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

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所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：李想（項目經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點(diǎn)，
但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。

詳細(xì)介紹

廠家直供大功率正向壽命試驗臺

系統(tǒng)概述

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等

許多優(yōu)點(diǎn)，

但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。

技術(shù)指標(biāo)

測試參數(shù) VF	0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V
測試條件	正向電流：1mA～60A 直流方波
脈寬	50uS-1mS
工位	20只
測試方法	器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設(shè)定電流后按規(guī)定施加條件對被試器件依次進(jìn)行測試，測試間隔時間約100mS