西安誼邦電子科技有限公司
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詳細(xì)摘要： ENL3010 浪涌測(cè)試系統(tǒng) ，設(shè)備可輸出17.7mS、80kA的電流，對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行浪涌電流試驗(yàn)；浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品型號(hào)：ENL3010所在地：西安市更新時(shí)間：2018-09-14 在線留言
詳細(xì)摘要： ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪...
產(chǎn)品型號(hào)：ENX2020所在地：西安市更新時(shí)間：2018-09-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 西安易恩電氣科技有限公司一直致力于分立器件測(cè)試設(shè)備、元器件檢測(cè)設(shè)備、IGBT測(cè)試儀、功率器件測(cè)試系統(tǒng)的生產(chǎn)，以*的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備，具有完善的質(zhì)量保證體系。優(yōu)質(zhì)的...
產(chǎn)品型號(hào)：ENS1040所在地：西安市更新時(shí)間：2018-09-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT）作為功率開(kāi)關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等許多優(yōu)點(diǎn)，但...
產(chǎn)品型號(hào)：EN-ZXSM所在地：西安市更新時(shí)間：2018-09-14 在線留言
詳細(xì)摘要： DBC-320測(cè)試臺(tái)是專為IGBT模塊進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)而進(jìn)行設(shè)計(jì),是IGBT出廠檢測(cè)的重要設(shè)備。該試驗(yàn)臺(tái)可對(duì)相應(yīng)的IGBT器件進(jìn)行適配器匹配，同時(shí)對(duì)48只器件進(jìn)...
產(chǎn)品型號(hào)：DBC-320所在地：西安市更新時(shí)間：2018-09-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)要求。可供半導(dǎo)體器件配以適當(dāng)?shù)臏囟瓤煽匮b置， 作交流阻斷（或反...
產(chǎn)品型號(hào)：EN-GZZD所在地：西安市更新時(shí)間：2018-09-14 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備，是IGBT測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：該測(cè)試系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)綜合的測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試參數(shù)多，設(shè)備測(cè)試數(shù)據(jù)精度高。該測(cè)試系統(tǒng)是一套...
產(chǎn)品型號(hào)：ENG1220所在地：西安市更新時(shí)間：2018-09-14 在線留言
詳細(xì)摘要： ENL3010 浪涌測(cè)試系統(tǒng) ，設(shè)備可輸出17.7mS、80kA的電流，對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行浪涌電流試驗(yàn)；浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)西安易恩電氣 ENL3010 浪涌測(cè)試系統(tǒng) ...
產(chǎn)品型號(hào)：ENL3010所在地：西安市更新時(shí)間：2018-09-14 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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