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武漢賽斯特精密儀器有限公司
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更新時(shí)間:2022-10-18 09:51:37瀏覽次數(shù):405次
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紅外后對準(zhǔn)雙面刻機(jī) 包括ICP-SR/SRE系列,而Pegasus則是大量生產(chǎn)所使用的設(shè)備。包括ICP-SR/SRE系列,而Pegasus則是大量生產(chǎn)所使用的設(shè)備。
紅外后對準(zhǔn)雙面刻機(jī)
SPTS作為*的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設(shè)備的供應(yīng)商,SPTS能夠提供一系列的解決方案來滿足客戶的生產(chǎn)和開發(fā)要求。通過一系列的技術(shù)的開發(fā),SPTS能為客戶提供一系列的*的工藝,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的端封裝(3D封裝和芯片級封裝)。
深硅刻蝕工藝的主要過程包括:
1) 鈍化處理過程(C4F8等離子體)
一階段:由C4F8產(chǎn)生CFn聚合物沉淀在所有的表面
2) 刻蝕過程(SF6等離子體)
第二階段:由于離子體的定向運(yùn)動,基面上的聚合物被去除的速度要比在側(cè)壁的去除速度快。
第三階段:暴露的硅表面就會被F系物刻蝕掉,SF6*提供等離子體,來實(shí)現(xiàn)高深寬比的刻蝕。
紅外后對準(zhǔn)雙面刻機(jī)
深硅刻蝕的主要應(yīng)用包括: MEMS,*封裝(TSV),功率器件等等。
SPTS提供一系列的設(shè)備來滿足客戶研發(fā)到生產(chǎn)不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列,而Pegasus則是大量生產(chǎn)所使用的設(shè)備。
Pegasus是行業(yè)先的深槽刻蝕設(shè)備,可以提供理想的刻蝕速度,但同時(shí)保證側(cè)面特征良好控制和一致性。通過利軟件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及絕緣硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的工藝控制。
parameter ramping技術(shù):
實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)工藝過程參數(shù),以達(dá)到理想的側(cè)面輪廓。
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