大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被MProbe Vis測(cè)厚儀測(cè)量。比如：氧化物，氮化物，光刻膠，高分子聚合物，半導(dǎo)體(硅，單晶硅，多晶硅)，半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs，CdTe, CIGS)，硬涂層(碳化硅，類金剛石炭)，聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺)。
測(cè)量范圍: 15 nm -50um
波長(zhǎng)范圍: 400 nm -1100 nm
MProbe Vis薄膜測(cè)厚儀適用于實(shí)時(shí)在線測(cè)量，多層測(cè)量，非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料)，新材料可以很容易的添加，支持多重算法：Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。
測(cè)量指標(biāo)：薄膜厚度，光學(xué)常數(shù)
界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測(cè)量和分析。
MProbe Vis薄膜測(cè)厚儀實(shí)用的工具：曲線擬合和靈敏度分析，背景和變形校正，連接層和材料，多樣品測(cè)量，動(dòng)態(tài)測(cè)量和產(chǎn)線批量處理。
性能參數(shù)：
| 基本規(guī)格 | ||||
| 精度 | 準(zhǔn)確度 | 穩(wěn)定性 | 光斑大小 | 樣品尺寸 |
| 0.1Å or 0.01% (greater of) | 0.2% or 10A (greater of) | stability 0.2A or 0.02% (greater of) | 2mm standard (optional to 20µm) | from 4mm |
| s.d. of 100 thickness reading of 100nm SiO2/Si calibration sample | filmstack dependent | 2 sigma over 20 days (100 measurements daily) on 100nm/Si calibration sample | ||
系統(tǒng)參數(shù) | ||||
| 型號(hào) | 波長(zhǎng)范圍(nm) | 光譜儀/探測(cè)器 | 光源 | 厚度 |
| Vis | 400-1100 | Spectrometer F4/Si CCD 3600 pixels/ ADC- 16 bit | Tungsten-Halogen | 15nm- 75µm |
| UVVisSR | 200-1100 | Spectrometer F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC- 16 bit | Deuterium/Tungsten-Halogen | 1nm-75µm |
| HRVis | 700-1000 | Spectrometer F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC- 16 bit /resolution | Tungsten-Halogen | 1µm-400µm |
| UVVis-RT | 200-1000 | F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC 16 bit/Optical Switch(Reflectance & Transmittance) | Tungsten-Halogen | 1nm-75µm |
| NIR | 900-1700 | F2 Spectrometer InGaAs CCD 512 pixels: ADC- 16 bit | Tungsten-Halogen | 50nm- 85µm |
| VisNIR | 400-1700 | Two spectrometer channels/ detectors (F4 Si 3600 pixels CCD and F2 InGaAs 512 pixels PDA) /ADC- 16 bit | Tungsten-Halogen | 10nm- 85µm |
| UVVis-NIR | 200-1700 | Two spectrometer channels/ detectors (F4 Si 3600 pixels CCD and InGaAs 512)/ ADC – 16 bit | Deuterium/Tungsten-Halogen | 1nm-85µm |
| VisXT | 800-870 | F4 spectrometer/Si 2048 pixels CCD | Tungsten-Halogen | 10µm-1400 µm |
環(huán)保在線