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濟南魯熱儀器有限公司

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單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號

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更新時間:2022-07-22 14:15:13瀏覽次數(shù):274次

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PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD). PECVD系統(tǒng)的中文名是等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)。是在CVD的基礎上加一個射頻電源,這個射頻電源通過感應線圈使管式爐爐管內(nèi)......

產(chǎn)品名稱:單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)
產(chǎn)品型號: PECVD-12DZVK 單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)
      VPECVD-12DZVK 立式單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)
      RPECVD-12DZVK 轉(zhuǎn)管式單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)
     


單溫區(qū)PECVD系統(tǒng) 轉(zhuǎn)管式PECVD系統(tǒng)


立式PECVD系統(tǒng)
PECVD系統(tǒng)應用:

 

   PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).

   PECVD系統(tǒng)的中文名是等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)。是在CVD的基礎上加一個射頻電源,這個射頻電源通過感應線圈使管式爐爐管內(nèi)氣體形成等離子體,等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,從而在基片上沉積出所期望的固態(tài)沉積物。PECVD具有比普通CVD沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高、沉積所需的溫度低等優(yōu)點。PECVD是由CVD系統(tǒng)再加一個PE500射頻電源、線圈組成



PECVD
系統(tǒng)組成:

PECVD系統(tǒng)=等離子電源+管式爐+真空抽氣系統(tǒng)+多路供氣系統(tǒng)(或者液態(tài)蒸發(fā)系統(tǒng)

 

單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)配置選擇:

配置一:管式真空氣氛爐:

SK2-12DZ 管式真空氣氛爐,1200℃,管徑:50、60、80、100、150mm


VSK2-12DZ 立式管式真空氣氛爐,1200℃,管徑:60、80、100mm


RSK2-12DZ 轉(zhuǎn)管式真空管式氣氛爐,1200℃,管徑:60mm

 

單溫區(qū)管式爐 立式管式爐



配置二:真空抽氣系統(tǒng):
     可以選配:LVSE-0.1LVSE-0.1A;HVSE


LVSE-0.1低真空控制系統(tǒng)
產(chǎn)品應用:

該系統(tǒng)為一組低真空機組設備,控制設備真空度小于1Pa一下;配合真空管式爐、箱式氣氛爐等真空設備使用

設備組成:設備由真空法蘭、高真空擋板閥、電阻真空計、真空波紋管、支架、真空泵組成

技術(shù)參數(shù):

1、 真空泵:FX-16

2、 真空泵抽氣速度:16m3/h4L/s

3、 真空泵極限壓強:(Pa)≤4*10-2

4、 高真空擋板閥:KF25不銹鋼高真空擋板閥

5 真空波紋管:KF25*1000mm

6、 真空計VRD-I:規(guī)管型號ZJ-53B/ZJ-54D短絲熱偶規(guī)

7、 電源功率:220v/50Hz;0.8kw

8、 出氣進氣口規(guī)格:KF25

9 連接口:2KF25接口


低真空系統(tǒng)


 




LVSE-0.1A可調(diào)低真空控制系統(tǒng)


產(chǎn)品應用:
  
該系統(tǒng)為一組低真空恒壓機組設備,控制設備真空壓力恒定在1.0KPa100.0KPa之間;配合真空管式爐、箱式氣氛爐等真空設備使用

設備組成:設備由真空法蘭、高真空擋板閥、電阻真空計、真空波紋管、支架、真空泵、變速器、電動調(diào)節(jié)閥門等組成

技術(shù)參數(shù):

1、 真空泵:FX-16

2 真空泵抽氣速度:16m3/h4L/s

3、 真空泵極限壓強:(Pa)≤4*10-2

4 高真空擋板閥:KF25不銹鋼高真空擋板閥

5、 真空波紋管:KF25*1000mm

6 真空計:VRD-I:

7、 規(guī)管型號ZJ-53B/ZJ-54D短絲熱偶規(guī)

8 電源功率:220v/50Hz;0.8kw

9、 調(diào)速變頻器:0.75kw

10、      壓強控制范圍:1.0KPa100KPa

11      壓強控制精度:±1KPa

12、      出氣進氣口規(guī)格:KF25

13、      連接口:2KF25接口

               
可調(diào)真空系統(tǒng)






HVSE高真空控制系統(tǒng):

產(chǎn)品應用:
 
  該系統(tǒng)為一組復合分子泵、前級抽氣泵機組設備,控制設備真空度小于8*10-4Pa;配合真空管式爐、箱式真空氣氛爐等高真空設備使用;廣泛應用于表面分析、半導體設備、等離子體技術(shù)、電真空器件的制造及真空技術(shù)研究

設備組成:設備由復合分子泵、前級抽氣泵、隔斷放氣閥、前級管路、分子泵電源、高真空檢測系統(tǒng)(復合真空計)、控制電源組成

產(chǎn)品特點:

預抽氣旁路設計,前級抽氣不經(jīng)過分子泵避免預抽氣體中顆粒進入分子泵

技術(shù)參數(shù):

1 前級真空泵:TRP-24

2、 真空泵抽氣速度:4L/s

3 分子泵:FJ-620

4、 抽氣速率:600L/s

5 分子泵極限壓強:6*10-6Pa

6、 建議啟動壓強:<100Pa

7、 排氣口法蘭:KF40

8、 進氣口法蘭:DN160LF

9、 波紋管:KF40*1000mm

10、      復合真空計:ZDF-III

11、      真空電磁擋板閥:KF40

12      真空腔體真空度:<8*10-4Pa

13、      工作電壓:220v/50Hz


高真空系統(tǒng)



 


配置三:多路供氣系統(tǒng):

ZDS-X多路質(zhì)子流量計控制供氣系統(tǒng)

系統(tǒng)應用:
  ZDS-X多路質(zhì)子流量計控制供氣系統(tǒng)是實現(xiàn)多種氣體不同流量混合配比的供氣系統(tǒng)

設備組成:多路進氣管路、質(zhì)子流量計、混氣罐、出氣管路組成

產(chǎn)品特點:

1、 幾路進氣客戶自由定制,標準接口,方便連接

2 液晶觸摸屏控制輸入每路氣體流量,實時查看各路氣體流量曲線

3、 每條氣路均設置高壓截止閥,方便切斷氣路

技術(shù)參數(shù):

1、 氣體通路:X條客戶自由定制

2、 氣體類型:客戶自由選擇

3、 流量計量程:5500SCCM;110SLM自由選擇

4 工作電壓:220v/50Hz

5、 工作壓差:0.1-0.5MPa

6、 壓力:3MPa

7 準確度:±1.0%F.S

8、 質(zhì)子流量計相應時間:<1S

9、 測量范圍:0.1-0.15MPa

10、      混氣罐:304不銹鋼

11      進出氣接口:直徑6mm不銹鋼卡套接口

12、      管道:內(nèi)部管道采用直徑6mm不銹鋼管;外部管采用6mm聚四氟管

13、      控制系統(tǒng):PLC控制系統(tǒng),液晶觸摸屏輸入,每路氣路獨立控制


多路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)






FDS-X多路浮子流量計控制供氣系統(tǒng)

系統(tǒng)應用:
  
FDS-X多路浮子流量計控制供氣系統(tǒng)是實現(xiàn)多種氣體不同流量混合配比的供氣系統(tǒng)

設備組成:多路進氣管路、浮子流量計、混氣罐、出氣管路組成

產(chǎn)品特點:

1、 幾路進氣客戶自由定制,標準接口,方便連接

2 手動調(diào)節(jié)浮子流量計,方便快接

3 每條氣路均設置高壓截止閥,方便切斷氣路

技術(shù)參數(shù):

1 氣體通路:X條客戶自由定制

2、 氣體類型:客戶自由選擇

3 流量計量程:10-100ml/min;25-250ml/min50-500ml/min自由選擇

4、 壓力表:-0.1MPa---0.15MPa,0.01MPa/

5、 混氣罐:304不銹鋼

6、 進出氣接口:直徑6mm

7、 管道:內(nèi)部管道采用直徑6mm不銹鋼管


多路浮子流量控制系統(tǒng)




配置四:等離子電源

等離子電源控制系統(tǒng)


1.型號:PE-500

2.噪音:<>

3.冷卻:風冷

4.反向功率:200W

5.電源:208-240VAC,50/60Hz

6.輸出功率:5-300W 可調(diào)穩(wěn)定性±1%

7.射頻電源頻率:13.56MHz ±0.005%

8.射頻電源電子輸出端口:50Ω,N型半導體,陰極


單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成

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