Yb:YAG,Yb:KGW,Yb:CaF2,Yb:KYW晶體 壓電晶體
Yb:KYW晶體 ¥6100污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
深圳維爾克斯光電有限公司
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更新時間:2024-02-25 12:59:04瀏覽次數(shù):117次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線ZnTe(碲化鋅)和GaSe(硒化鎵)晶體都是用于用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射,同時有著高激光損傷閾值可達3.7J/cm2,高達54pm/V的非線性光學系數(shù)
碲化鋅,硒化鎵太赫茲晶體,應用于太赫茲光源與探測器
EKSMA Optics從1983年開始為各個科學實驗室開發(fā)機械元件,根據(jù)客戶給的圖紙和制造規(guī)格,可提供定制光學和晶體組件服務,也有標準品庫存快速現(xiàn)貨交付。EKSMA Optics主要產(chǎn)品為激光器、激光系統(tǒng)和儀器的精密激光組件,為工業(yè)、醫(yī)療、美學、科學和國防市場的不同激光和光子應用領(lǐng)域的客戶提供服務。
GaSe,ZnTe太赫茲晶體主要應用領(lǐng)域:
- 太赫茲時域系統(tǒng)
- 太赫茲源晶體
- 中遠紅外氣體探測
- CO2激光的SHG
- THZ實驗光源
- 太赫茲成像
- 太赫茲發(fā)射器-檢測器系統(tǒng)
EKSMA Optics目前有售用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射的GaSe,ZnTe太赫茲晶體(硒化鎵THz晶體,碲化鋅THz晶體)。ZnTe和GaSe晶體 Eksma具有高損傷閾值,太赫茲ZnTe晶體和GaSe晶體可產(chǎn)生極短且高質(zhì)量的太赫茲脈沖。
110晶向的太赫茲晶體ZnTe通過光學整流過程產(chǎn)生太赫茲。光學整流效應是一種二階非線性效應。脈沖激光照射到非線性介質(zhì)晶體,脈沖激光的各個單色分量之間會在樣品中通過差頻振蕩現(xiàn)象產(chǎn)生一個隨時間變化的電極化場,該電極化場將產(chǎn)生太赫茲。
還可利用110晶向的太赫茲晶體ZnTe基于自由空間電光技術(shù)實現(xiàn)對太赫茲脈沖的探測。在自由空間光電采樣系統(tǒng)里太赫茲光束和線偏振光束在ZnTe太赫茲源內(nèi)共線傳播。太赫茲光束產(chǎn)生的電場會影響ZnTe太赫茲源晶體的復折射率,最終改變線偏振光,自由光電采樣系統(tǒng)能檢測和放大這種改變并轉(zhuǎn)為更直觀的強度變化來繪制太赫茲脈沖幅度。
讀出完整電場(包括幅度和時延)的能力是太赫茲時域光譜的一大特色。太赫茲ZnTe晶體Eksma還能用于紅外光學元件基板和真空沉積。ZnTe太赫茲晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號:ZnTe-100H,ZnTe-200H,ZnTe-500H,ZnTe-1000H,ZnTe-2000H,ZnTe-3000H。
注: ZnTe太赫茲晶體含有微氣泡,它們在照明晶體的投影中可見。然而,這并不影響太赫茲的產(chǎn)生。我們不接受有關(guān)水晶中存在氣泡的投訴。
使用GaSe晶體Eksma產(chǎn)生的太赫茲能達到41THz的大帶寬。GaSe太赫茲源是負單軸層狀半導體,擁有62m空間點群的六邊形結(jié)構(gòu),300K時的帶隙為2.2eV。GaSe太赫茲晶體有著高激光損傷閾值(可達3.7 J/cm2),很大的非線性光學系數(shù)(54pm/V),比較合適的透明范圍(0.65-18μm),和足夠低的吸收系數(shù)(α<0.01cm-1),使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的重要解決方案。由于使用20fs的飛秒激光源產(chǎn)生和檢測寬帶太赫茲,GaSe太赫茲源制作的太赫茲發(fā)射器-檢測器系統(tǒng)性能被認為可以達到與使用太赫茲ZnTe晶體相當甚至更好的結(jié)果。使用合適厚度的太赫茲GaSe晶體可以實現(xiàn)對太赫茲波產(chǎn)生和探測系統(tǒng)的頻率選擇。太赫茲GaSe晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號:GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1。
注:由于GaSe太赫茲晶體的解理面為(001),對該晶體使用有一個很大限制在于質(zhì)軟,易碎。
太赫茲晶體ZnTe,GaSe性能優(yōu)勢:
- 產(chǎn)生太赫茲能達到有非常寬的頻域
- 抗損傷閾值高
- 非線性系數(shù)大
- 多種尺寸可選
- 客戶導向的解決方案
- 接受客戶定制服務
ZnTe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù):
型號 | 尺寸(mm) | 厚度(mm) | 支架(mm) | 參考價格(歐元) |
ZnTe-100H | 10x10 | 0.1 | ?25.4 | 2145 |
ZnTe-200H | 10x10 | 0.2 | ?25.4 | 1880 |
ZnTe-500H | 10x10 | 0.5 | ?25.4 | 1420 |
ZnTe-1000H | 10x10 | 1.0 | ?25.4 | 1570 |
ZnTe-2000H | 10x10 | 2.0 | ?25.4 | 1790 |
ZnTe-3000H | 10x10 | 3.0 | ?25.4 | 2510 |
GaSe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù):
型號 | 通光孔徑(mm) | 厚度(µm) | 支架(mm) | 參考價格(歐元) |
GaSe-10H1 | ?7 | 10 | ?25.4 | 1950 |
GaSe-30H1 | ?7 | 30 | ?25.4 | 1625 |
GaSe-100H1 | ?7 | 100 | ?25.4 | 1475 |
GaSe-500H1 | ?7 | 500 | ?25.4 | 1460 |
GaSe-1000H1 | ?7 | 1000 | ?25.4 | 1635 |
GaSe-2000H1 | ?7 | 2000 | ?25.4 | 1810 |
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