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GaSe,ZnTe太赫茲晶體

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更新時間:2024-02-25 12:59:04瀏覽次數(shù):117次

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產(chǎn)品簡介

ZnTe(碲化鋅)和GaSe(硒化鎵)晶體都是用于用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射,同時有著高激光損傷閾值可達3.7J/cm2,高達54pm/V的非線性光學系數(shù)

詳細介紹

碲化鋅,硒化鎵太赫茲晶體,應用于太赫茲光源與探測器

EKSMA Optics從1983年開始為各個科學實驗室開發(fā)機械元件,根據(jù)客戶給的圖紙和制造規(guī)格,可提供定制光學和晶體組件服務,也有標準品庫存快速現(xiàn)貨交付。EKSMA Optics主要產(chǎn)品為激光器、激光系統(tǒng)和儀器的精密激光組件,為工業(yè)、醫(yī)療、美學、科學和國防市場的不同激光和光子應用領(lǐng)域的客戶提供服務。


GaSe,ZnTe太赫茲晶體主要應用領(lǐng)域:

       - 太赫茲時域系統(tǒng)

- 太赫茲源晶體

- 中遠紅外氣體探測

- CO2激光的SHG

- THZ實驗光源

- 太赫茲成像

- 太赫茲發(fā)射器-檢測器系統(tǒng)


EKSMA Optics目前有售用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射的GaSe,ZnTe太赫茲晶體(硒化鎵THz晶體,碲化鋅THz晶體)。ZnTeGaSe晶體 Eksma具有高損傷閾值,太赫茲ZnTe晶體和GaSe晶體可產(chǎn)生極短且高質(zhì)量的太赫茲脈沖。

110晶向的太赫茲晶體ZnTe通過光學整流過程產(chǎn)生太赫茲。光學整流效應是一種二階非線性效應。脈沖激光照射到非線性介質(zhì)晶體,脈沖激光的各個單色分量之間會在樣品中通過差頻振蕩現(xiàn)象產(chǎn)生一個隨時間變化的電極化場,該電極化場將產(chǎn)生太赫茲。

還可利用110晶向的太赫茲晶體ZnTe基于自由空間電光技術(shù)實現(xiàn)對太赫茲脈沖的探測。在自由空間光電采樣系統(tǒng)里太赫茲光束和線偏振光束在ZnTe太赫茲源內(nèi)共線傳播。太赫茲光束產(chǎn)生的電場會影響ZnTe太赫茲源晶體的復折射率,最終改變線偏振光,自由光電采樣系統(tǒng)能檢測和放大這種改變并轉(zhuǎn)為更直觀的強度變化來繪制太赫茲脈沖幅度。

讀出完整電場(包括幅度和時延)的能力是太赫茲時域光譜的一大特色。太赫茲ZnTe晶體Eksma還能用于紅外光學元件基板和真空沉積。ZnTe太赫茲晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號:ZnTe-100HZnTe-200H,ZnTe-500H,ZnTe-1000H,ZnTe-2000H,ZnTe-3000H

注: ZnTe太赫茲晶體含有微氣泡,它們在照明晶體的投影中可見。然而,這并不影響太赫茲的產(chǎn)生。我們不接受有關(guān)水晶中存在氣泡的投訴。

使用GaSe晶體Eksma產(chǎn)生的太赫茲能達到41THz的大帶寬。GaSe太赫茲源是負單軸層狀半導體,擁有62m空間點群的六邊形結(jié)構(gòu),300K時的帶隙為2.2eV。GaSe太赫茲晶體有著高激光損傷閾值(可達3.7 J/cm2),很大的非線性光學系數(shù)(54pm/V),比較合適的透明范圍(0.65-18μm),和足夠低的吸收系數(shù)(α<0.01cm-1),使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的重要解決方案。由于使用20fs的飛秒激光源產(chǎn)生和檢測寬帶太赫茲,GaSe太赫茲源制作的太赫茲發(fā)射器-檢測器系統(tǒng)性能被認為可以達到與使用太赫茲ZnTe晶體相當甚至更好的結(jié)果。使用合適厚度的太赫茲GaSe晶體可以實現(xiàn)對太赫茲波產(chǎn)生和探測系統(tǒng)的頻率選擇。太赫茲GaSe晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號:GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1。

注:由于GaSe太赫茲晶體的解理面為(001),對該晶體使用有一個很大限制在于質(zhì)軟,易碎。


太赫茲晶體ZnTe,GaSe性能優(yōu)勢:

- 產(chǎn)生太赫茲能達到有非常寬的頻域

- 抗損傷閾值高

- 非線性系數(shù)大

- 多種尺寸可選

- 客戶導向的解決方案

- 接受客戶定制服務


ZnTe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù):

型號

尺寸(mm)

厚度(mm)

支架(mm)

參考價格(歐元)

ZnTe-100H

10x10

0.1

?25.4

2145

ZnTe-200H

10x10

0.2

?25.4

1880

ZnTe-500H

10x10

0.5

?25.4

1420

ZnTe-1000H

10x10

1.0

?25.4

1570

ZnTe-2000H

10x10

2.0

?25.4

1790

ZnTe-3000H

10x10

3.0

?25.4

2510

GaSe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù):

型號

通光孔徑(mm)

厚度(µm)

支架(mm)

參考價格(歐元)

GaSe-10H1

?7

10

?25.4

1950

GaSe-30H1

?7

30

?25.4

1625

GaSe-100H1

?7

100

?25.4

1475

GaSe-500H1

?7

500

?25.4

1460

GaSe-1000H1

?7

1000

?25.4

1635

GaSe-2000H1

?7

2000

?25.4

1810


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