Logitech CP3000化學(xué)拋光設(shè)備
· zui少次級(jí)表面損傷
· 抗腐材料制成
· zui大樣品尺寸—直徑20cm (8")
· 方便，遠(yuǎn)程面板控制
· 半導(dǎo)體晶片和光晶體的精細(xì)腐蝕拋光
介紹
· 精細(xì)的半導(dǎo)體晶片及其它電子、光電晶體的表面拋光都要求zui低的次級(jí)表面損傷，這就需要進(jìn)行一道zui終 腐蝕拋光工藝。這些工藝中使用的化學(xué)劑，如溴甲醇，過氧化氫或酸腐蝕劑等，都有很強(qiáng)的化學(xué)腐蝕作用，這就需要操作的設(shè)備具有防腐蝕的功能并適合這些操作，而且安全。Logitech CP3000化學(xué)拋光設(shè)備能很好的滿足這些腐蝕拋光溶劑，同樣也適用于腐蝕性較弱的Chemlox拋光，如半導(dǎo)體晶片的背拋光。現(xiàn)在的電子器件對(duì)于晶片尺寸，如表面平整度、平行度及厚度控制都有非?？量痰目刂埔?，而CP3000化學(xué)拋光機(jī)，特別是跟Logitech的晶片處理系統(tǒng)配合使用作為zui后一個(gè)步驟時(shí)，能達(dá)到這些控制標(biāo)準(zhǔn)。
· 結(jié)構(gòu)
Logitech CP3000化學(xué)拋光設(shè)備主要由聚丙烯，PVDF(聚偏氟乙稀)和其它抗腐蝕材料制成，它被設(shè)計(jì)可安放在一個(gè)通風(fēng)框內(nèi)使用， 這樣給操作者以zui大的方便和安全。 甲板下的冷卻扇，有互鎖功能，與機(jī)器相結(jié)合以防止爆炸氣體或腐蝕氣體的聚集，并保持一個(gè)恒定的操作溫度。為安全起見，一旦結(jié)構(gòu)內(nèi)某因素導(dǎo)致空氣流速減少大于50%，遠(yuǎn)程切斷顯示燈亮，同時(shí)機(jī)械會(huì)自動(dòng)切斷電源，拒絕再次啟動(dòng)。
· 配置
配置： 機(jī)器由一個(gè)主驅(qū)動(dòng)單元，大約410mm(16”)見方，一個(gè)防腐蝕的填料單元，一個(gè)廢料槽和一個(gè)遠(yuǎn)程控制模塊組成，按需要這個(gè)模塊可以安放在通風(fēng)框外。拋光盤下有一個(gè)可移除的PVC拖盤，用以保護(hù)主機(jī)內(nèi)部，并且容易清洗。 標(biāo)準(zhǔn)型機(jī)器有一個(gè)齒輪驅(qū)動(dòng)裝置，樣品在行星齒輪內(nèi)繞著中心齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)。偏心驅(qū)動(dòng)版本的機(jī)型是同防Chemlox化學(xué)腐蝕的半月夾手臂一起使用，這個(gè)版本的機(jī)器可以帶動(dòng)樣品進(jìn)行左右擺臂。同時(shí)還帶有一個(gè)自動(dòng)填料裝置。偏心版本也可以接受三個(gè)位置的往復(fù)擺臂。
· 應(yīng)用
1、zui典型的應(yīng)用是以下材料等在封裝及外延生長(zhǎng)前的末級(jí)化學(xué)腐蝕拋光：
2、用于紅外探測(cè)和其它器件的碲鋅鎘,銻化銦，碲鎘汞
3、薄的或超薄的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵，磷化銦和多種Ⅲ-Ⅴ族,Ⅱ-Ⅵ族化合物(ASIC’s等)
4、硫化鎘及類似的光電材料
Chemlox化學(xué)拋光也特別適合很多這些材料的背拋光。CP3000能理想的用于所有需要電子/光學(xué)級(jí)拋光的高標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用，提供了晶體zui小應(yīng)力解決方法。
CP3000化學(xué)拋光設(shè)備規(guī)格
· 電源: 220V/50Hz
· 重量：42公斤（帶拋光料桶，有齒輪板）
· 主單元：400x435x260mm
· zui大高度，帶料桶：660mm
· 拋光盤直徑：356mm
· zui大樣品尺寸：1個(gè)直徑200mm/(8")，或三個(gè)直徑114mm/(4.5")
· 拋光盤轉(zhuǎn)速：5-70轉(zhuǎn)/分鐘（連續(xù)可變）
會(huì)員1.png)
