磁控電抗器型動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置（簡(jiǎn)稱MCR型SVC），該裝置具有輸出諧波含量小、功耗低、免維護(hù)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高、價(jià)格低廉、占地面積小等顯著優(yōu)點(diǎn)是目前國(guó)內(nèi)理想的動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置。圖1-1為10kVMCR型SVC戶外裝置外觀圖。

詳細(xì)介紹

概述

電力系統(tǒng)電壓、無(wú)功和諧波三大指標(biāo)對(duì)提高全網(wǎng)經(jīng)濟(jì)效益和改善供電質(zhì)量至關(guān)重要。目前，國(guó)內(nèi)傳統(tǒng)的分組投切電容器補(bǔ)償裝置和固定的電容器組補(bǔ)償裝置的調(diào)節(jié)方式是離散的，不能取得理想的補(bǔ)償效果；同時(shí)，開關(guān)投切電容器組所造成的涌流和過電壓對(duì)系統(tǒng)和設(shè)備本身都會(huì)產(chǎn)生危害；現(xiàn)有動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置，如相控電抗器（TCR型SVC）不僅價(jià)格貴，而且存在占地面積大、結(jié)構(gòu)復(fù)雜，維護(hù)量大等缺點(diǎn)。磁控電抗器型動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置（簡(jiǎn)稱MCR型SVC），該裝置具有輸出諧波含量小、功耗低、免維護(hù)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高、價(jià)格低廉、占地面積小等顯著優(yōu)點(diǎn)是目前國(guó)內(nèi)理想的動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置。圖1-1為10kVMCR型SVC戶外裝置外觀圖。

MCR主要技術(shù)參數(shù)

1．額定容量： 600～25000 kvar
2．額定電壓： 6、10、35 kV
4．額定頻率： 50 Hz
5．相數(shù) ： 3 相
6．總損耗比：2.5 %～1.1 %
7．溫升限值：繞組平均溫升≤65K，油頂層溫升≤55K
8．冷卻方式： ONAN或ONAF
9. 絕緣水平：額定電壓 6 kV： AC 25 / LI 60 kV
額定電壓 10kV： AC 35 / LI 75 kV
額定電壓 35kV：AC 85 / LI 200 kV（或AC 95 / LI 200 kV）
10．噪聲： ≤60dB 、 65dB 、70dB 、78dB（或相當(dāng)于同容量變壓器）
11. 變壓器油：變壓器油45號(hào)或25號(hào)。
12. 安裝地點(diǎn)：戶內(nèi)或者戶外

MCR特點(diǎn)

表：磁控電抗器（MCR）與相控電抗器（TCR）的技術(shù)經(jīng)濟(jì)比較

項(xiàng)目	磁控式電抗器MCR	相控電抗器TCR
可靠性	可控硅安裝在控制回路，承受的電壓僅為主回路的1%，可靠性高	可控硅和電抗器處于同一相電壓之下，降低了可控硅的可靠性，任何一只擊穿，都會(huì)使可控硅整體損壞
諧波水平	諧波含量低，三相角接系統(tǒng)的電流總畸變率THDI 小于5%	5、7 次諧波的含量豐富，所產(chǎn)生的諧波電流總畸變率THDI 約在20% 左右
設(shè)備造價(jià)	MCR 體積僅為TCR 的1/3 左右，設(shè)備造價(jià)低。	系統(tǒng)的復(fù)雜程度高，設(shè)備造價(jià)大
電磁污染	無(wú)	空心電抗器對(duì)周圍輻射大量工頻磁場(chǎng)對(duì)人體健康有影響
調(diào)節(jié)時(shí)間	0.1～0.3s	50ms左右
環(huán)境要求	對(duì)諧波、電壓波動(dòng)等無(wú)特殊要求	要求較高
運(yùn)行方式	連續(xù)調(diào)節(jié)（無(wú)級(jí)）	連續(xù)調(diào)節(jié)（無(wú)級(jí)）
運(yùn)行維護(hù)	免維護(hù)	結(jié)構(gòu)復(fù)雜，維護(hù)量大
適用范圍	可直接運(yùn)行于任何電壓等級(jí)電網(wǎng)且安裝簡(jiǎn)單、調(diào)試方便	電壓等級(jí)越高，困難程度越大