產(chǎn)品特點(diǎn):
1)適合于硅材料的氧、碳含量的測定;
2)可實(shí)現(xiàn)硅料中氧碳含量自動(dòng)、快速、準(zhǔn)確的測量;
3)具備完整的譜圖采集、光譜轉(zhuǎn)換、光譜處理、光譜分析及輸出功能,使得操作更簡單、方便、靈活。
4)全密封防潮、防塵干涉儀的設(shè)計(jì)使儀器對環(huán)境的適應(yīng)能力更強(qiáng)。
5)外置式紅外光源部件的設(shè)計(jì)使得儀器具有更高的熱學(xué)穩(wěn)定性,無須動(dòng)態(tài)調(diào)整就具有穩(wěn)定的干涉度。
6)高強(qiáng)度紅外光源采用球形反射裝置,可獲得均勻、穩(wěn)定的紅外輻射。
7)程控增益放大電路、高精度A/D轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)及嵌入式微機(jī)的應(yīng)用,提高了儀器的精度及可靠性;
8)光譜儀與計(jì)算機(jī)間通過USB方式進(jìn)行控制和數(shù)據(jù)通訊,*實(shí)現(xiàn)即插即用。
9)通用微機(jī)系統(tǒng),全中文應(yīng)用軟件界面友好、內(nèi)容豐富。
10)樣品固定架;
11)高穩(wěn)定性和抗震性;
12)保質(zhì)期:12個(gè)月。
技術(shù)參數(shù):
1)檢測下限:1.0X1016cm-3(常溫);
2)檢測硅料硅片厚度范圍為:0.1~3.5mm;
3)波數(shù)范圍:7800cm-1~400cm-1
4)分辨率:優(yōu)于0.5 cm-1
5)波數(shù)精度:±0.01 cm-1
(1) CZ-Si(直拉硅)中氧含量精密度為±10%。
(2) FZ-Si(區(qū)熔硅)中氧含量精密度為±20%,檢測下限為1×1016 cm-3 。符合“硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法”國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T 1557-89)的要求。
6)掃描速度:0.2~2.5 cm/s,微機(jī)控制,選擇不同的掃描速度,檔次連續(xù)可調(diào)。
7) 信噪比:優(yōu)于15,000:1(RMS值,在2100 cm-1處,4 cm-1分辨率,DTGS探測器,1分鐘數(shù)據(jù)采集。)
8) 分?jǐn)?shù)器:KBr基片鍍鍺
9) 探測器:標(biāo)準(zhǔn)配置DTGS,任選MCT
10)光源:高強(qiáng)度空氣冷卻紅外光源
數(shù)據(jù)系統(tǒng):
1) 通用微機(jī),連接噴墨或激光打印機(jī),可輸出高質(zhì)量的光譜圖。
2) 軟件:全新中文MainFTOS軟件:Windows9X/2000/XP操作系統(tǒng)下的通用操作軟件系統(tǒng)。包括譜庫檢索軟件、定量分析軟件、譜圖輸出軟件及紅外譜庫。
儀器尺寸:
1) 光學(xué)臺(tái): 63*52*24cm
電源:
1)交流:220V/50HZ
2)功率:1000VA
主要客戶:
錦州陽光能源、江蘇天源、峨眉739、河北晶龍集團(tuán)、無錫尚德、天津環(huán)歐等
產(chǎn)品特點(diǎn):
1)適合于硅材料的氧、碳含量的測定;
2)可實(shí)現(xiàn)硅料中氧碳含量自動(dòng)、快速、準(zhǔn)確的測量;
3)具備完整的譜圖采集、光譜轉(zhuǎn)換、光譜處理、光譜分析及輸出功能,使得操作更簡單、方便、靈活。
4)全密封防潮、防塵干涉儀的設(shè)計(jì)使儀器對環(huán)境的適應(yīng)能力更強(qiáng)。
5)外置式紅外光源部件的設(shè)計(jì)使得儀器具有更高的熱學(xué)穩(wěn)定性,無須動(dòng)態(tài)調(diào)整就具有穩(wěn)定的干涉度。
6)高強(qiáng)度紅外光源采用球形反射裝置,可獲得均勻、穩(wěn)定的紅外輻射。
7)程控增益放大電路、高精度A/D轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)及嵌入式微機(jī)的應(yīng)用,提高了儀器的精度及可靠性;
8)光譜儀與計(jì)算機(jī)間通過USB方式進(jìn)行控制和數(shù)據(jù)通訊,*實(shí)現(xiàn)即插即用。
9)通用微機(jī)系統(tǒng),全中文應(yīng)用軟件界面友好、內(nèi)容豐富。
10)樣品固定架;
11)高穩(wěn)定性和抗震性;
12)保質(zhì)期:12個(gè)月。
技術(shù)參數(shù):
1)檢測下限:1.0X1016cm-3(常溫);
2)檢測硅料硅片厚度范圍為:0.1~3.5mm;
3)波數(shù)范圍:7800cm-1~400cm-1
4)分辨率:優(yōu)于0.5 cm-1
5)波數(shù)精度:±0.01 cm-1
(1) CZ-Si(直拉硅)中氧含量精密度為±10%。
(2) FZ-Si(區(qū)熔硅)中氧含量精密度為±20%,檢測下限為1×1016 cm-3 。符合“硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法”國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T 1557-89)的要求。
6)掃描速度:0.2~2.5 cm/s,微機(jī)控制,選擇不同的掃描速度,檔次連續(xù)可調(diào)。
7) 信噪比:優(yōu)于15,000:1(RMS值,在2100 cm-1 處,4 cm-1分辨率,DTGS探測器,1分鐘數(shù)據(jù)采集。)
8) 分?jǐn)?shù)器:KBr基片鍍鍺
9) 探測器:標(biāo)準(zhǔn)配置DTGS,任選MCT
10)光源:高強(qiáng)度空氣冷卻紅外光源
數(shù)據(jù)系統(tǒng):
1) 通用微機(jī),連接噴墨或激光打印機(jī),可輸出高質(zhì)量的光譜圖。
2) 軟件:全新中文MainFTOS軟件:Windows9X/2000/XP操作系統(tǒng)下的通用操作軟件系統(tǒng)。包括譜庫檢索軟件、定量分析軟件、譜圖輸出軟件及紅外譜庫。
儀器尺寸:
1) 光學(xué)臺(tái): 63*52*24cm
電源:
1)交流:220V/50HZ
2)功率:1000VA
主要客戶:
錦州陽光能源、江蘇天源、峨眉739、河北晶龍集團(tuán)、無錫尚德、天津環(huán)歐等
詳情咨詢:
北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司
北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)光華路16號(hào)
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:肖
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公司:http://www.HenergySolar.com